摘要目的:少突胶质细胞是形成中枢神经系统髓鞘的大胶质细胞,观察不同浓度的铅、汞、镉对体外培养的少突胶质前体细胞(包括少突胶质祖细胞和不成熟的少突胶质细胞)发育时的及时定型、神经元的存活以及轴突生长和突触形成等细胞增殖中形态学的变化,表面标志物的变化,以及数量的变化.方法:实验于2004-03-01/08-01在军事医学科学院基础医学所实验室完成.采用振荡分离纯化的方法,用无血清培养液培养少突胶质前体细胞.取分离纯化的少突胶质前体细胞,培养皿或96孔板中的细胞2 d后分别加入各种毒物.96孔板分组:无细胞的阴性对照,有细胞的空白对照,醋酸铅组分别加入10,50,100和0μmol/L醋酸铅,氯化汞组分别加入0.01,0.1,1.0和0mmol/L(等量培养液)氯化汞,氯化镉组分别加入0.04,0.2,1.5和0mmol/L氯化镉.培养皿分组同96孔板,但无阴性对照组.24 h后换成正常培养液,9 d后同时取出各组细胞,进行细胞计数和四唑盐比色法测定各组细胞的光吸收值(光吸收值越小,存活细胞越少,毒物的细胞毒性越大).同时观测少突胶质前体细胞形态和表面标志物的变化(少突胶质祖细胞A2B5抗体阳性表达,不成熟的少突胶质细胞残留有A2B5标记物,同时04-01抗体阳性;成熟的少突胶质细胞髓鞘碱性蛋白抗体阳性).结果:①剂量依赖性细胞数量的变化:不同浓度醋酸铅、氯化汞和氯化镉都能减少培养的少突胶质前体细胞的数量,与空白对照组比较差异显著(P＜0.05),且随着浓度的增加,细胞数减少.②毒物的细胞毒性作用:四唑盐比色法测量结果显示醋酸铅、氯化汞和氯化镉都能减少培养的少突胶质前体细胞的光吸收值,与空白对照组比较差异显著(P＜0.05),且随着浓度的增加,其光吸收值越低.③细胞形态与表面标志物的变化:正常少突胶质祖细胞培养两三天时,有单极和双极突起,极少数为三极突起,培养5～8 d时胞体伸出四五条较粗大突起,出现不成熟的少突胶质细胞,随后出现成熟少突胶质细胞的标记物髓鞘碱性蛋白抗体阳性;与毒物共培养的细胞除数量减少外,形态接近正常,正常表达细胞表面标志物,培养两三天时,也有单极和双极突起,极少数也有三极突起,表面残留有A2B5标记物,但培养七八天时才伸出四五条较粗大突起,表面还残留有A2B5标记物,同时有04-01抗体阳性,9 d时极个别细胞髓鞘碱性蛋白抗体阳性,表现出成熟的少突胶质细胞的特征,说明细胞发育延迟,并可见许多细胞碎片.结论:①铅、镉和汞是以剂量依赖性方式影响和抑制细胞数量的增殖.②其细胞毒性作用影响细胞发育时的及时定型、影响轴突生长和突触的形成.③暴露在这些毒物中的少突胶质细胞表面标志物表达不受影响.④环境中铅、镉和汞中毒可影响少突胶质细胞的正常发育过程,发育延迟,从而导致髓鞘形成不良或脱髓鞘现象.