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首页 > 西南师范大学学报(自然科学版) > CVD法制备SiO2薄膜工艺条件的研究

CVD法制备SiO2薄膜工艺条件的研究

The Study on SiO2 Thin Films Prepared by CVD

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摘要在Al2O3陶瓷基片上以正硅酸乙酯(TE0S)为原料,高纯氮气作载气,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2薄膜,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2薄膜沉积速率的影响.采用XRD,XPS和SEM技术对SiO2薄膜的组成和结构进行了分析.

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作者 郑慧雯 [1] 章娴君 [1] 王显祥 [2] 学术成果认领
作者单位 西南师范大学,化学化工学院,重庆,400715 [1] 四川农业大学,生命科学与理学院,四川,雅安,625014 [2]
关键词 化学气相沉积沉积速率薄膜
分类号 TQ174.75+8.1
DOI 10.3969/j.issn.1000-5471.2004.02.024
发布时间 2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
重庆市科委项目（99-5663）
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西南师范大学学报(自然科学版)

西南师范大学学报(自然科学版)

2004年29卷2期

251-254页

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