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SCAPs在两种不同排列方式PLGA电纺膜上分化的研究

摘要将SCAPs与两种静电纺丝技术制备的有序和随机排列的PLGA电纺膜共培养,通过CCK-8 试验检测材料对SCAPs增殖的影响,并检测SCAPs在两种电纺膜上肌腱相关基因表达的情况.结果表明,静电纺丝技术可以制备成有序和随机排列的PLGA电纺膜,其纤维直径及表面孔隙率无统计学差异;SCAPs在PLGA电纺膜上增殖良好,在有序排列和随机排列的电纺膜上,SIX1、SIX2、TNC和EYA2 的表达水平相近,在有序排列的PLGA电纺膜上表达更高水平的SCX,而在随机排列的电纺膜上表达更高水平的Col-Ⅰ和Col-Ⅲ.

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2024年2期

89-93,161页

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