换一批
换一批密度泛函理论研究硫族元素取代对单层Ag2S结构和电子性质的影响
Density functional theory study on the effects of chalcogen substitution on structural and electronic properties of single-layer Ag2S
摘要本文利用第一性原理计算讨论了硫族元素掺杂单层Ag2S的缺陷形成能和电子性质.缺陷形成能反映了在富Ag条件下的掺杂更容易.计算得到的带隙、Mulliken布居和态密度展示出了其相应结构的电子性质.与纯单层的Ag2S相比,Se/Te掺杂Ag2S后的带隙显示出其电导率变化不大.基于Mulliken原子和键布居,研究了硫族元素掺杂后Ag2S中的共价性.此外,通过讨论态密度,分析了能级的移动和电子的贡献.
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