换一批基于EIT技术颅内电阻抗特性分析
The Elctrical Properties of Realistic Head Model Based on Eletrical Impedance Tomography
摘要电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术.本研究基于EIT技术对二维四层同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础.
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分类号
TM152
栏目名称
DOI
10.3969/j.issn.0258-8021.2005.06.014
发布时间
2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
中国科学院项目（非规范项目）（30170308）
河北省自然科学基金（E2004000054）
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