换一批
换一批摘要采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，计算本征以及P替位式掺杂，P间隙式掺杂4H-SiC的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明：P掺杂减小了4H-SiC的禁带宽度，其中P替位C原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致4H-SiC的费米能级进入导带，使其成为n型半导体，间隙式掺杂使4H-SiC的费米能级接近导带并在其禁带中引入杂质能级。替位式掺杂后，4H-SiC的自由电子主要存在于导带底，而间隙式掺杂4H-SiC 中除了导带底外，禁带中的杂质能级也提供了自由电子，因此，电子浓度大幅度增加。掺杂4H-SiC 的载流子迁移率主要由中性杂质对电子的散射决定，较本征态的大幅度降低。通过计算4种体系的电导率可知，P替位Si原子掺杂4H-SiC的电导率最大，导电性最好。
更多相关知识
- 浏览0
- 被引8
- 下载0
相似文献
- 中文期刊
- 外文期刊
- 学位论文
- 会议论文
