换一批摘要利用等离子体增强化学气相沉积系统（ PECVD ）研究SiO2薄膜低温制备工艺，分析工艺条件对薄膜性能参数影响，通过调节射频功率优化薄膜应力，在150℃低温下获得接近零应力 SiO2薄膜，薄膜沉积速率约为40 nm/min，片内均匀性优于3％，折射率为1．46±0．003，并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低，薄膜性能好，因此可以作为绝缘层或介质层，应用于柔性电子领域。
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摘要利用等离子体增强化学气相沉积系统（ PECVD ）研究SiO2薄膜低温制备工艺，分析工艺条件对薄膜性能参数影响，通过调节射频功率优化薄膜应力，在150℃低温下获得接近零应力 SiO2薄膜，薄膜沉积速率约为40 nm/min，片内均匀性优于3％，折射率为1．46±0．003，并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低，薄膜性能好，因此可以作为绝缘层或介质层，应用于柔性电子领域。
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