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摘要在众多的检测方法中，电化学传感器法因具有响应速度快、灵敏度高以及易于操作等优势而逐渐成为一种研究热潮，现已被广泛的应用于药物质量控制、农药残留、环境监测以及食品安全等重要领域。然而，构建性能优异的电化学传感器的关键在于能否开发出新型、高效的电极修饰材料。金属有机框架（MOFs）具有开放式的结构、高比表面积、高孔隙率以及可调节的孔径，将其作为前驱体开发新型功能的催化材料，已成为当前的研究共识。此外，基于MOFs结构的可变性、金属节点的丰富性、连接配体的多功能性以及金属离子间的相互作用，向其中引入其他合适的元素进行生长，可得到异质结构的金属有机框架（MOFonMOF）。与单个MOFs相比，异质MOFonMOF复合前驱体所衍生的复合材料具有更强的电催化性能。另外，电化学传感器在检测过程易受到干扰物的影响，将其与分子印迹技术（MIT）结合，可实现对目标分子的高选择性和高灵敏度检测。本文旨在以MOFs或异质MOFonMOF作为前驱体，制备新型金属硫（氧）化物及其碳复合材料，结合特定的分子印迹聚合物膜，构建性能优异的电化学传感器，用于药物及其异构体杂质的分析检测。具体研究内容如下：<br>　　（1）在第二章实验中，我们开发了一种蚁巢结构的多孔碳纳米球，用于阿托品（ATP）对映体右旋莨菪碱（D-HSM）和左旋莨菪碱（L-HSM）的识别检测。首先，以Fe基MOF作为基底，向其中引入铜离子和硫离子进行水热孵化得到蚁巢结构的黄铜矿（CuFeS2），然后，通过高温煅烧得到CuFeS2/C多孔纳米球（Porousnanospheres,PNSs）。由于CuFeS2立方体结晶与多孔碳间的协同作用，以及蚁巢结构的高比表面积，使复合电极（GCE）对L-HSM表现出了优越的电化学性能。另外，研究发现，由磺酸化-β-环糊精（S-β-CD）和L-精氨酸（L-Arg）通过循环伏安法（CV）形成的关于L-HSM的分子印迹聚合物（MIP），对D/L-HSM（ATP）具有较强的手性识别作用。因此，基于CuFeS2/CPNSs和MIP构建一种新型电化学传感器，通过微分脉冲伏安法（DPV）检测L-HSM。在最佳实验条件下，L-HSM的峰值电流密度在0.02-4.6μM的浓度范围内呈良好的线性关系，LOD和LOQ分别为0.45nM和1.5nM。并成功的从消旋体ATP中精确识别出L-HSM和D-HSM的氧化峰，其中，L-HSM的氧化峰电位位于0.741V，而D-HSM位于0.879V，二者的电位差（ΔEp）为0.138V。此外，将该传感器实际应用于人体血清、唾液和硫酸阿托品（ATP）片中L-HSM的测定，结果令人满意。<br>　　（2）在第三章实验中，我们采用核壳设计方案合成了具有核壳型双重异质结构的NiO/NiFe2O4@Zn0.76Co0.24S纳米笼（NCs）。其中，NiO/NiFe2O4立方核是通过煅烧Ni-Fe普鲁士蓝类似物（PBAs）获得，在这些立方体芯周围原位生长出Zn-Co类沸石咪唑框架（ZIFs），经过硫化处理得到NiO/NiFe2O4@Zn0.76Co0.24SNCs。由于继承了两种双金属有机框架的结构，该复合材料具有249.66m2/g的大比表面积，可以在电催化过程中提供大量的活性位点。并且Zn0.76Co0.24SNCs与p-p异质结构的NiO/NiFe2O4之间还存在核壳双重异质的协同作用，使得复合电极（GCE）对BVU表现出了优越的电化学性能。此外，探索出谷胱甘肽（GSH）能通过自身的-SH与BVU上的-Br发生亲核取代结合，显著增强BVU的电化学活性，进一步提高了BVU的检测灵敏度。将GSH开发为一种新的功能单体，选取β-环糊精（β-CD）作为辅助功能单体，通过循环伏安法（CV）电聚合制备了BVU的分子印迹聚合物（MIP），实现了对BVU的高效专一性识别。然后，基于NiO/NiFe2O4@Zn0.76Co0.24SNCs和MIP构建了一种新型电化学传感器，通过差分脉冲伏安法（DPV）检测BVU。在最优条件下，BVU的氧化峰电流在0.006-3.5μM的浓度范围内呈线性关系，检测限（LOD）和定量限（LOQ）分别为0.28nM和0.933nM，灵敏度达到11.0303μA·μM?1·cm?2。此外，该传感器显示出优异的重现性、重复性和稳定性，并已成功的应用于人体血清和化妆品（面膜、防晒霜和保湿乳液）中BVU的测定。<br>　　（3）在第四章实验中，我们首次以受精卵的结合方式开发了一种立方体生花异质结构和多组分协同作用的NiZn2O4/NiO/NiFe2O4材料，并将其实际应用于花椒毒素（XAT）的检测。先用一步法合成一种新型结构的NiZn-MOF，通过原位阳离子交换效应在其表面孕育出NiFe-PBA。将NiZn-MOF/NiFe-PBA作为前驱体，高温煅烧得到微立方体-纳米花异质结构的NiZn2O4/NiO/NiFe2O4。由于NiZn2O4微立方体与NiO/NiFe2O4纳米花之间特殊的同体异质结构以及表面大量NiO/NiFe2O4纳米花提供的高比表面积，使得NiZn2O4/NiO/NiFe2O4修饰的电极（GCE）对XAT表现出了优异的电化学性能。因此，基于NiZn2O4/NiO/NiFe2O4和分子印迹聚合物（MIP）构建了一种新型分子印迹电化学传感器，用于灵敏快速的特异性检测XAT。其中，通过循环伏安法（CV）制备MIP膜，差分脉冲伏安法（DPV）用于XAT检测。在最佳实验条件下，XAT的氧化峰电流密度在0.03-4.0μM的浓度范围内呈良好的线性关系，LOD和LOQ分别为6.71nM和22.37nM，灵敏度为7.4038μA·μM?1·cm?2。此外，将该传感器实际应用于人体血清、唾液和尿液中XAT的测定，结果令人满意。