摘要目的:<br> 本研究旨在观察丧失可控应激是否会诱发学习记忆损害行为,探讨针刺治疗学习记忆损害行为的作用及作用机制。通过检测丧失可控应激后小鼠前额叶和丘脑脑区VGLUT1受体、VGLUT2受体、SynaPsinI蛋白表达水平探究电针的干预作用,进一步利用化学遗传学方法研究改变mPFC区GLu能神经元活动能否改善丧失可控应激导致的认知损害,明确taVNS通过调控mPFC区GLu能神经元活动改善对丧失可控应激诱发认知障碍研究。<br> 方法:<br> 实验一使用SPF级健康成年雄性C57BL/6J小鼠,将其随机分为Control组、LOC模型组、Yoked模型组、LOC模型加电针组。利用斯金纳箱7天LOC模型范式造模,成模后进行5天耳甲区电针治疗。后通过旷场、新物体新位置识别、社会交互、Morris水迷宫评价小鼠的认知功能变化。随后利用高尔基染色观察mPFC神经元结构的变化,免疫组化染色观察mPFC脑区C-fos的表达,Western blot检测VGLUT1、VGLUT2、SYN-1的表达,及针刺后相应指标的变化。<br> 实验二使用SPF级健康成年雄性C57BL/6J小鼠,随机分为抑制性病毒加CNO电针组、抑制性病毒加盐水电针组、兴奋性病毒加CNO组、兴奋性病毒加盐水组,每组8只。在小鼠双侧mPFC脑区分别注射相关病毒,待小鼠恢复后以斯金纳箱7天LOC模型范式造模,成模后进行5天耳甲区电针刺激,电针前30min分别使用CNO、生理盐水进行腹腔注射。治疗结束后以旷场、新物体新位置识别、社会交互、Morris水迷宫评估小鼠的认知功能。随后将mPFC脑区取材,免疫组化染色观察mPFC脑区VGLUT1的表达。<br> 结果<br> 1 LOC组小鼠识别记忆的提取,而对其识别记忆的获取及巩固影响不明显;经皮耳迷走神经刺激够改善其记忆的获取及巩固;mPFC、MD脑区VGLUT1、VGLUT2、SYN-1表达水平降低;mPFC神经元树突棘密度明显降低。<br> 2 兴奋性病毒小鼠激活mPFC脑区Glu能神经元活动能改善认知及学习记忆损害,对于注射抑制性病毒的小鼠来说,电针无法逆转其学习记忆损害的恢复。<br> 结论:<br> 1 小鼠在经历认知挫败后诱发认知功能及学习记忆损害。<br> 2 电针耳甲区能有效改善认知挫败经历后认知功能及学习记忆损害,其作用机制可能通过调节内侧前额叶和丘脑背内侧核VGLUT1、VGLUT2、SYN-1蛋白表达水平实现。<br> 3 激活mPFC的Glu能神经元活动能够改善认知挫败经历后学习记忆损害;抑制mPFC的Glu能神经元活动后学习记忆损害加重,且电针无法改善。进一步说明电针对认知挫败经历后学习记忆损害的治疗主要通过调节mPFC的Glu能神经元活动水平。
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