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【中文期刊】 辜海北 《新材料新装饰》 2014年1期 482-483页
【摘要】 心电图机就是用来描记心肌细胞活动时所产生的生理电信号的仪器，是一个高灵敏度、高输入阻抗的放大装置，容易受到机外各种电磁信号的干扰，因此，为了把干扰信号抑制掉，心电图机要求电路具备低噪声、高共模抑制比、良好的传输特性和足够的频响范围等特点，而...
- 概要：
- 方法：
- 结论：
【成果】 99041266 河北 TN325 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＣＸ４１１型和ＣＸ４２１型都是Ｐ型硅衬底Ｎ型外延的结型场效应晶体管，是一种多数载流子电压控制源器件，具有栅结反向漏汇电流小，噪声低的优点，使用时栅极加负压，输入阻抗高，使用方便。两种晶体管的结构选择采用梳状结构和覆盖式结构，宽长比增大，栅长...
【成果】 99045711 河北 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＣＧ９２１型晶体管采用梳状结构，外延平面工艺；采用双离子注入和快速热退火技术，获得了良好的浅结、薄基区；利用ＲＩＥ技术，得到了半微米以下发射极条宽：器件采用Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ金属化系统，微带金属陶瓷全密封封装。主要技术指标：６００ＭＨｚ下...
【成果】 87208677 北京 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１０２型高频大动态低噪声管系根据微波９６０路，１８００路中频前置放大器的要求而专门研制生产的，也适用于其他电子设备中作高频或中频的低噪声放大用，尤其是适用于大信号下作低噪声放大。该器件具有动态范围大，线性好，大电流下噪声低，谐波衰耗...
【成果】 91216894 福建 TN722.3 应用技术 电子元件制造
【成果简介】 该成果已获得国家发明专利（ＺＬ８６１０３４０７４）。它是把ＦＥＴ（包括ＧａＡｓ、ＭＥＳ ＦＥＴ，ＨＥＭＴ等）直接安装在空波导中实现传输型二端口放大，解决了微带型ＬＮＡ随微波工作频段上移电性能下降，甚至不能正常工作的缺点，与现有技术相比，它...
【成果】 810587 江西 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 根据我国试制和生产全频道电视机的需要，景德镇三六无线电厂研制成功ＵＨＦ高频头用高放ＭＧ０１型硅ＮＰＮ高频小功率是晶体管。它具有特征频率高、功率增益高、噪声系数小、输出电容小等优点。该管经过大量的技术测试、例行试验考核以及高频头厂家使用，证明...
【成果】 884021 上海 TN722.3 应用技术 电子元件制造
【成果简介】 微波超宽带场效应放大器在电子对抗、电子侦察、宽带通讯设备、宽带扫频仪中将得到愈来愈广泛的应用。该放大器采用级联型（非平衡放大器）、ＣＡＤ技术、优化方法采用乘子法、分布参数、单电源供电，并具有低噪声高增益的优点。其性能指标如下：工作频率为３－...
【成果】 882030 江苏 TN325.3 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该器件采用了ｎ －ｎ－ｎˉ－Ｉ ＧａＡｓ多层气相外延材料，以铝作肖特基势垒栅，以ＡｕＧｅ－Ｎｉ／Ａｕ作源和漏的欧姆接触制成深沟槽双台面结构，可用于Ｋｕ波段雷达、卫星接收、电子对抗等微波整机，具有噪声低、增益高、使用频率高，并能在低温...
【成果】 99041263 河北 TN323 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＤＺ３０２型器件是一种硅大跨导Ｎ沟结型场效应晶体管，等效噪声电压小于２ｎＶ／Ｈｚ〈’１／２〉。它具有输入阻抗高，抗辐射能力强，动态范围大，交扰调制小，温度稳定性好等优点，可用于视频放大，带通放大，斩波器，电子开关等电路中。该产品采用大的有源...
【成果】 89219841 辽宁 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１３０（Ｇ４６）是三极ＭＩＮＩ型塑封高频低噪声晶体管，其高频特征的主要技术关键是浅结扩散，二次蒸铝压点新工艺，φ５０硅片细线条光刻。该产品性能稳定，质量可靠。主要用于电子调谐器上作混频用，可代替日本产的２ＳＣ３１３０，２ＳＣ２７３５...
【成果】 87210989 北京 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＺＢ１１型硅ＮＰＮ高频低噪声小功率三极管主要用于载波高１２路和１８００路，与３ＺＢ０１，３０Ａ３０８管配套使用，作前置级高频低噪声放大，也可在其电子设备中作高频低噪声放大或振荡用。主要技术指标：Ｐ ＞３００ｍｗ，Ｉ ＞３０ｍＡ...
【成果】 0400670006 河北 TN325.3 TN61 应用技术 电子器件制造 2002年
【成果简介】 该所生产的砷化镓微波场效应晶体管系列产品包括低噪声器件、功率器件、振荡器件、双相器件等共计60多种。多次荣获国家和电子部科技进步奖，其中低噪声场效应管曾获国家科技进步一等奖。低噪声管指标达到fo＝12GHz，Fn≤1db，GP≥7dB。功率...
【成果】 90206706 河北 TN722.3 TN722.16 应用技术 电子元件制造
【成果简介】 该放大器是为ＪＦＨ９１（０４７）型微波变频机配套而研制的。作为其前置低噪声放大器，也可以用于１０．９５～１１．７ＧＨｚ的微波通信、广播电视、遥测遥控等接收系统作低噪声前置放大。该放大器采用４级微波场效应管放大，放在玻璃纤维强化的聚四氟乙稀敷...
【成果】 98003241 辽宁 TN322.3 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该产品技术文件完整，正确统一，产品性能符合Ｑ／ＬＧＤ２１０４－９４、Ｑ／ＬＧＤ２１０５－９５企业标准要求，可替代进口，性能稳定可靠，能满足用户要求，达国外同类产品水平。
【成果】 99040474 河北 TN722.16 TN722.3 应用技术 电子元件制造
【成果简介】 该放大器采用ＣＡＤ设计，性能指标先进，稳定可靠，可用于雷达及通讯设备，为微波整机系统国产化提供了优良的部件，经济效益显著。ｆ９，７５～１０．２５ＧＨｚ；Ｇ（ｐ）＞３０ｄＢ；ｐ〈，ｒ〉＞１０ｄＢｍ；△Ｇ（ｐ）＜±０．７５ｄＢ；Ｆ（ｎ）＜２．５...
【成果】 800102 北京 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１０２型高频大动态低噪声管系根据微波９６０路，１８００路中频前置放大器的要求而专门研制生产的，也适用于其他电子设备中作高频或中频的低噪声放大用，尤其是适用于大信号下作低噪声放大。该器件具有动态范围大，线性好，大电流下噪声低，谐波衰耗...
【成果】 881477 福建 TN386 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该项成果研制了两类结型场效应管：超低噪声场效应对管３ＤＪ４５和低噪声高跨导场效应对管３ＤＪ４１５。经过大量技术测试和用户试用，达到了设计要求。３ＤＪ４５具有低频噪声小，在国内处于领先水平，达到低噪声同类产品的国际水平；３ＤＪ４１５低噪声高跨...
【成果】 99041269 河北 TN722.16TN722.3 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＪＤＦ２４２－Ⅴ、Ⅵ、Ⅶ、Ⅷ微波晶体管低噪声放大器采用了性能优良的无损耗反馈网络，使放大器具有噪声低、动态大、频带宽、工作温度范围宽等特点。密封结构，使其具有良好的三防性能。它们可广泛应用于电子侦察、无线电通信、电子仪器等领域。
【成果】 99040883 上海 TP274 TN06 应用技术 通用仪器仪表制造 专用仪器仪表制造
【成果简介】 该装置用于计量高频小功率低噪声晶体管的噪声系数Ｆ和最小噪声系数Ｆｎ，并且以对晶体管的稳定性、低噪声和增益等方面作出全面的质量评定，是研制和发展高频低噪声晶体管必不可少的计量手段。该装置采用了带程控的自动噪声系数表、程控取样的输入、输出反射计...
【成果】 900215 北京 TN386 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该管主要为微波通信设备中低噪声接收放大器、收讯本振和Ｃ波段低噪声放大器而设计的。应用该器件设计、制造的４ＧＨｚ微波低噪声放大器，在微波接收机中已使系统热噪声得到改善，用于４ＧＨｚ和８ＧＨｚ介质腔振荡器和光纤通信ＰＩＮ－ＦＥＴ前置放大器中，性...
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