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【成果】 0100950048 陕西 TN47 TP391.41 应用技术 电子器件制造 数据处理 2001年
【成果简介】 CMOS视觉芯片采用标准的超大规模集成电路工艺，可根据产品需要把所需要的电路集成在芯片上，其集成度高，体积小、成本低。分辨率、稳定性、信噪比都比进口的芯片有较大的改善，其集成度已达以0.8毫米工艺，芯片面积缩小30平方毫米。该芯片共有模拟和...
【关键词】 计算机视觉 ； 大规模集成电路 ； 互补型金属氧化物半导体 ；
【成果】 0300330280 江苏 TN912.22 应用技术 电子器件制造 2001年
【成果简介】 该产品采用离子注入掺杂，双层布线制造工艺，工艺稳定、成品率较高。CD8189CP在5.8mm<'2>的芯片内集成了366个元器件，采用SDIP24封装。该产品技术指标和可靠性均满足整机使用要求，可与国外同类产品互换使用。它的开发成功，促进了...
【成果】 1800010217 江苏 TN305.7 应用技术 电子器件制造 2017年
【成果简介】 该项目产品193nm光刻胶单体是193nm光刻胶的主体材料。主要用于集成电路和半导体分立器件细微图形加工，是电子信息产业中超大规模集成电路关键材料，除广泛应用在与我们生活息息相关的手机、电脑等电子产品外，在航空航天、军事科技等领域有重要应用...
【成果】 90219780 TN761.2 应用技术 电子元件制造
【成果简介】 该成果主要用于雷达接收机中的自动频率调谐，使信号和本振两个微波频率的差值的变化保持在±０．３ＭＨｚ的范围内。其主要技术指标：①中心频率：３０ＭＨｚ；②跟踪范围≥│±１５ＭＨｚ│；③捕捉范围≥│±１０ＭＨｚ│；④剩余误差（失谐）≤│±０．１～...
【成果】 831765 北京 TN323.406 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该技术是基于半导体器件失效机理而提出的，即是器件芯片上峰值结温，而不是平均结温更不是壳温决定了器件的寿命。该筛选方法是定器体峰值结温、定偏压、定环境温度的筛选方法。这一方法与全功率或超功率的筛选是等效的。根据该方法才能科学地进行电加速寿命试...
【成果】 2000140696 四川 TN35 应用技术 输配电及控制设备制造 2020年
【成果简介】 功率芯片是国家芯片战略产业的重要组成，是“后摩尔时代”的重要发展方向。功率半导体器件是电子装置中电源、驱动、控制等系统的核心器件，是装置的“心脏”，其在电能转换与控制过程需承受高压大电流，故是节能减排的基础环节，其中功率MOS和整流管占功率...
【成果】 1900010381 北京 TN304.7 应用技术 专用化学产品制造 2018年
【成果简介】 该项目属于物理科学中的凝聚态物理领域。 大规模集成电路发展遵循的摩尔定律遇到严峻挑战，利用半导体中电子自旋自由度代替传统的电荷进行数据加工处理、存储及传输为未来信息技术提供了一个全新途径。磁性半导体、铁磁/半导体异质结构是在半导体中进行自...
【成果】 89201492 北京 TN304.1 TN304.053 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该课题系采用大型单晶炉，以调整热场增大熔体纵向温度梯度，选用快晶转慢拉速，正向籽晶和浅熔体的氩气减压拉晶工艺，解决了单晶的位错缺陷，中心杂质管道和杂质条纹等关键技术问题，改善了单晶的结构完整性，提高了单晶轴向和径向电阻率的均匀性，提高了成品...
【成果】 1900060326 湖北 TN47 应用技术 电子器件制造 2019年
【成果简介】 半导体材料是现代能源和信息产业的基础，半导体薄膜作为新型光电子器件和超大规模集成电路的核心材料，在国民经济建设、国家战略新兴产业以及国家安全中发挥着不可替代的作用。半导体薄膜制备是一个典型的多物理场、跨尺度、高精度的复杂工艺过程，集合了精密...
【成果】 2400163045 甘肃 TN305.94 应用技术 电子器件制造 2024年
【成果简介】 1、课题来源：引线框架是半导体封装的基础材料，其作为集成电路的芯片载体，借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到和外部导线连接的桥梁作用。其主要功能就是为电路连接、散热、机械...
【成果】 91219441 上海 TN304.120.54 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 Ｎ／Ｎ＜’＋＞亚微米级硅外延片是ＶＬＳＩ和微波器件的基础材料，该课题确立了常压、四氯化硅氢还原法制备亚微米级硅外延片的稳定工艺。该外延片杂质浓度为１０的１５次方－１０的１７次方ｃｍ＜’－３＞；层厚０．３５～１．０μ；其净载流子浓度变化小于１...
【成果】 0500950676 上海 TN47 TN405 应用技术 电子器件制造 2005年
【成果简介】 一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果内容简介：“自对准金属硅化物薄膜材料和器件工艺技术”是可用于发展性能超大规模集成电路及其它半导体器件制造技术的研究成果。它包括：1、自对准硅化钴器件工艺技术；2、自对准硅化钛器件工艺技术；3...
【成果】 91200542 江苏 TN43 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该工艺在大量计算、实验、模拟基础上自行开发而成，适用于低电压、低功耗和高集成度的各种铝栅集成电路（如钟表、音乐卡、机电合一产品、心脏起搏器等）的研制和工业化生产。它在０．０７微米薄栅、４微米负胶光刻，抗漏电、低开启注入和调整、低温ＣＶＤ隔离...
【成果】 99019516 甘肃 TN305.1 TP277 应用技术 电子器件制造 通用仪器仪表制造
【成果简介】 该机主要用于硅集成电路、铌酸锂、压电陶瓷、石英、蓝宝石、氧化铝、氧化铁、石榴石、玻璃等材料的开槽划片加工。该机采用空气静压主轴精度高、寿命长；采用工控机控制，故障实时检测，运行准确可靠；光学系统映象监视，显示器作为对准系统。恒力变频分相调速...
【成果】 99049151 上海 TN215 TN43 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 硅读出电路是红外焦平面的重要组成部分。该电路是为３２×３２元ＩｎＳｂ人ＣＩＤ焦平面设计研制的。在解决了ＩｎＳｂ ＣＩＤ红外焦平面读出分式的基础上设计的。该读出电路可适应ＩｎＳｂ ＣＩＤ红外焦平面唾顺序元等不同读出方式和７７Ｋ低温工作的需...
【成果】 90216570 天津 TN931 应用技术 广播电视设备制造
【成果简介】 该机用于宾馆、商场、工厂、学校和车站等公共场所，构成具有背景音乐、遥控分区呼叫等综合广播功能的广播系统。其主机电路以集成电路为基础构成全固体化电路。其技术指标如下：额定输出功率为１２０瓦（ＲＭＳ）×２；额定输出电压为１００伏；频响特性不均匀...
【成果】 1000640102 四川 TN43 应用技术 电子器件制造 2010年
【成果简介】 该成果为解决目前国际上高压集成电路向薄层发展所带来的纵向耐压瓶颈以及中国受限于国外在高端功率半导体器件和集成电路方面的垄断和禁运问题，首次提出了功率半导体体内场降低理论并解决了相应的设计关键技术；在行业顶级刊物上发表了系列居于国际领先水平的...
【成果】 931455 北京 TN430.2 TP391.72 应用技术 电子器件制造 数据处理
【成果简介】 该单元库包括一个含有１２５个单元的版图库及其Ｉ／Ｏ端口描述文件，一个逻辑符号和逻辑模型库及一个有管子尺寸的管级电路图库。其中含有６１种门电路单元、２４种触发器单元、１０种锁存器单元、１５种压焊块、３种布线辅助单元和１２种工艺控制单元。其工艺...
【关键词】 单元库 ； 单元系 ； 互补型金属氧化物半导体 ；
【成果】 884023 上海 TN43 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＤＩＳＡＤＬＴ（双注入自对准扩散横向ＰＮＰ晶体管）高压集成技术，是利用横向ＰＮＰ集成晶体管固有的高压特性，通过二次离子注入和自对准扩散改善其电流增益和频率特性差的缺点而获得的一种高性能高压集成器件。该所在研究过程中还设计制成了单片可调精密基...
【关键词】 晶体管 ； 集成电路工艺 ； 离子注入ＭＯＳ集成电路 ；
【成果】 90212522 北京 TN32 TN386.1 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 氢敏晶体管（钯栅ＭＯＳ场效应管）是一种高选择性氢敏器件，主要用于氢气的检漏、检测、防爆等方面。该器件采用集成化结构（内含钯栅氢敏管、铝栅参比管、加热电阻、测温二极管）。钯栅ＭＯＳ场效应晶体管的主要技术指标（在空气中含氢浓度为０．１％，１５０...
【成果】 89202621 北京 TN111 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该项目较系统地实验和研究了红外退火技术，并对离子注入产生的损伤，退火后的残留缺陷，红外退火装置，机理和特点等都作了研究和介绍。还研究了磷、硼、砷三种注入元素在六种注入剂量、五种退火温度下的１００多片样片实验情况。对每一样片进行了６～８项参数...
【成果】 922265 北京 TN303 TP319 应用技术 电子器件制造 其他软件服务
【成果简介】 ＴＤＢＭＯＳ程序功能齐全，既能模拟小尺寸ＭＯＳ器件，也能模拟小尺寸双极器件，是研究亚微米半导体器件的有力模拟工具。在算法上，它成功地将盒（ＢＯＸ）积分法运用于三维器件模拟，采用了ＩＣＣＧ和ＩＬＵＣＧ方法分别处理对称和非对称大型稀疏矩阵，使程...
【成果】 0800360216 北京 P578.491 基础研究 自然科学研究与试验发展 工程和技术研究与试验发展 2007年
【成果简介】 摘要：钙钛矿结构氧化物具有介电、铁电、光电、压电、热电、超导、巨磁电阻及非线性光学等一系列重要的特性和效应。如果把不同特性和效应的钙钛矿氧化物材料交叉耦合在一起，甚至量子尺度地制备成超晶格材料，不仅可研制具有磁、光、电等不同特殊功能特性的新...
【成果】 1800120168 北京 TN304.2 应用技术 专用化学产品制造 2017年
【成果简介】 随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键因素，应变硅沟道日益逼近极限，在硅基平台上引入更高迁移率的非硅沟道材料来提升CMOS的性能已成为10纳米节点以下高性...
【成果】 2100100281 四川 TL814 应用技术 专用仪器仪表制造 2021年
【成果简介】 在核辐射探测领域，前端读出芯片集成电路是高端核辐射防护仪表、核医学成像、高能物理实验仪器、航空航天等辐射探测领域应用的关键核心元器件，与国家安全、工业生产和人类生命健康息息相关，属于国家重大战略需求，具有广阔的应用前景和巨大市场潜力。该项目...
【成果】 891773 江苏 TM555 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 该传感器的特点是：１．在国际上首次利用测量流量的“恒定芯片温度（ＣＣＴ）”原理，突破以往采用测量双管温度差的工作方式。２．用ＭＯＳ器件作为温度敏感元件。３．将敏感元件、加热元件和温度控制电路用ＣＭＯＳ工艺集成在同一芯片上，使传感器具有高性能...
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