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            1. Neural network based analysis of random telegraph noise in resistive random access memories

            【外文期刊】 《Trends in Ecology & Evolution》 2020年35卷2期

            【关键词】 resistive memories; RRAM; RTN;

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            2. HfOx-based nano-wedge structured resistive switching memory device operating at sub-mu A current for neuromorphic computing application

            【外文期刊】 Lee, Dong Keun ; Kim, Min-Hwi ; 等 《Trends in Ecology & Evolution》 2020年35卷5期

            【关键词】 gradual-switching; potentiation; depression;

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            3. Interface-Driven Multifunctionality in Two-Dimensional TiO2 Nanosheet/Poly(Dimercaptothiadiazole-Triazine) Hybrid Resistive Random Access Memory Device.

            【外文期刊】 Anju,Kumari ; Shobith M,Shanbogh ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2020年12卷50期 56568-56578页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 RRAM; TiO2 nanosheets; hybrid devices;

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            4. Graphene-based RRAM devices for neural computing. oa

            【外文期刊】 Rajalekshmi T,R ; Rinku Rani,Das ; 等 《Frontiers in neuroscience》 2023年17卷 1253075页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 chemical vapor deposition (CVD); cryptography; graphene;

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            5. Charge Transition of Oxygen Vacancies during Resistive Switching in Oxide-Based RRAM.

            【外文期刊】 Jihang,Lee ; William,Schell ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2019年11卷12期 11579-11586页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 RRAM; Ta2O5; charge transition;

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            6. Low-power multilevel resistive switching inβ-Ga2O3based RRAM devices.

            【外文期刊】 Ravi Teja,Velpula ; Barsha,Jain ; 等 《Nanotechnology》 2022年34卷7期 SCIMEDLINE

            【关键词】 Ga2O3; RRAM; multilevel resistive switching;

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            7. Effect of Hydrogen Annealing on Performances of BN-Based RRAM.

            【外文期刊】 Doowon,Lee ; Hee-Dong,Kim ; 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2023年13卷10期

            【关键词】 RRAM; aerospace; boron nitride;

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            8. Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM. oa

            【外文期刊】 Xiaoxin,Xu ; Hangbing,Lv ; 等 《Nanoscale research letters》 2015年10卷 61页 MEDLINE

            【关键词】 High resistance state (HRS); Quantum point contact (QPC) model; Resistive random access memory (RRAM);

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            9. FangTianSim: High-Level Cycle-Accurate Resistive Random-Access Memory-Based Multi-Core Spiking Neural Network Processor Simulator. oa

            【外文期刊】 Jinsong,Wei ; Zhibin,Wang ; 等 《Frontiers in neuroscience》 2021年15卷 806325页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 RRAM (memristor); SystemC; analog circuits;

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            10. Vacuum and Low-Temperature Characteristics of Silicon Oxynitride-Based Bipolar RRAM.

            【外文期刊】 Nayan C,Das ; Minjae,Kim ; 等 《Micromachines》 2022年13卷4期

            【关键词】 RRAM; bipolar; cryogenic temperature;

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            11. Thermal Characterization of Conductive Filaments in Unipolar Resistive Memories.

            【外文期刊】 Cristina,Aguilera-Pedregosa ; David,Maldonado ; 等 《Micromachines》 2023年14卷3期

            【关键词】 RRAM; kinetic Monte Carlo; modeling;

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            12. Resistive random access memory: introduction to device mechanism, materials and application to neuromorphic computing.

            【外文期刊】 Furqan,Zahoor ; Fawnizu Azmadi,Hussin ; 等 《Discover nano》 2023年18卷1期 36页

            【关键词】 2D materials; Emerging memory technologies; High-density memory;

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            13. Investigation of the Temperature Effect on Electrical Characteristics of Al/SiO2/n++-Si RRAM Devices.

            【外文期刊】 Piotr,Wiśniewski ; Mateusz,Nieborek ; 等 《Micromachines》 2022年13卷10期

            【关键词】 MIS; MOS; RRAM;

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            14. A Unified Current-Voltage Model for Metal Oxide-Based Resistive Random-Access Memory. oa

            【外文期刊】 Harry,Chung ; Hyungsoon,Shin ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2022年16卷1期 SCIMEDLINE

            【关键词】 HSPICE; memristive device; memristor;

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            15. A Review on Resistive Switching in High-k Dielectrics: A Nanoscale Point of View Using Conductive Atomic Force Microscope. oa

            【外文期刊】 Mario,Lanza ; 《Materials (Basel, Switzerland)》 2014年7卷3期 2155-2182页 SCIMEDLINE

            【关键词】 CAFM; NVM; RRAM;

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            16. Effects of Top and Bottom Electrodes Materials and Operating Ambiance on the Characteristics of MgFx Based Bipolar RRAMs.

            【外文期刊】 Nayan C,Das ; Yong-Pyo,Kim ; 等 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2023年13卷6期

            【关键词】 RRAM; electrode materials; forming-free;

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            17. Sign backpropagation: An on-chip learning algorithm for analog RRAM neuromorphic computing systems.

            【外文期刊】 Qingtian,Zhang ; Huaqiang,Wu ; 等 《Neural networks : the official journal of the International Neural Network Society》 2018年108卷 217-223页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 Multilayer perceptron (MLP); Neural network; Neuromorphic computing;

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            18. Effect of SiCN thin film interlayer for ZnO-based RRAM.

            【外文期刊】 Woon-San,Ko ; Myeong-Ho,Song ; 等 《Nanotechnology》 2024年36卷6期 SCIMEDLINE

            【关键词】 4MS; PECVD; RRAM;

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            19. Resistive Switching in Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Mediated by Defects and Interfacial Charge Transfer.

            【外文期刊】 Hokyeong,Jeong ; Jiye,Kim ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2020年12卷41期 46288-46295页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 MOCVD; RRAM; h-BN;

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            20. Sol-Gel-Processed Y2O3 Multilevel Resistive Random-Access Memory Cells for Neural Networks.

            【外文期刊】 Taehun,Lee ; Hae-In,Kim ; 等 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2023年13卷17期

            【关键词】 RRAM; Y2O3; multilevel cell;

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            21. Improved Intrinsic Nonlinear Characteristics of Ta2O5/Al2O3-Based Resistive Random-Access Memory for High-Density Memory Applications. oa

            【外文期刊】 Ji-Ho,Ryu ; Sungjun,Kim ; 《Materials (Basel, Switzerland)》 2020年13卷18期 SCIMEDLINE

            【关键词】 F–N tunneling; RRAM; XPS;

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            22. Multi-Input Logic-in-Memory for Ultra-Low Power Non-Von Neumann Computing.

            【外文期刊】 Tommaso,Zanotti ; Paolo,Pavan ; 等 《Micromachines》 2021年12卷10期

            【关键词】 BNN; Boolean algebra; RRAM;

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            23. Enhancing Uniformity, Read Voltage Margin, and Retention in Three-Dimensional and Self-Rectifying Vertical Pt/Ta2O5/Al2O3/TiN Memristors.

            【外文期刊】 Tae Won,Park ; Jiwon,Moon ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2024年16卷47期 65046-65057页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 V-RRAM; charge-trap; memristor;

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            24. Interfacial Chemistry-Induced Modulation of Schottky Barrier Heights: In Situ Measurements of the Pt-Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Interface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy.

            【外文期刊】 Brendan T,Flynn ; Richard P,Oleksak ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2018年10卷4期 4333-4340页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 IGZO; RRAM; Schottky barrier;

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            25. A Neuromorphic Brain Interface based on RRAM Crossbar Arrays for High Throughput Real-time Spike Sorting.

            【外文期刊】 Yuhan,Shi ; Akshay,Ananthakrishnan ; 等 《IEEE transactions on electron devices》 2022年69卷4期 2137-2144页

            【关键词】 Copper Oxide; Crossbar; High Throughput;

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            26. Resistive Switching and Charge Transport in Laser-Fabricated Graphene Oxide Memristors: A Time Series and Quantum Point Contact Modeling Approach. oa

            【外文期刊】 N,Rodriguez ; D,Maldonado ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2019年12卷22期 SCIMEDLINE

            【关键词】 RRAM; autocovariance; graphene oxide;

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            27. Frequency-Dependent Synapse Weight Tuning in 1S1R with a Short-Term Plasticity TiOx-Based Exponential Selector.

            【外文期刊】 Mun Yin,Chee ; Putu Andhita,Dananjaya ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2022年14卷31期 35959-35968页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 1S1R; RRAM; TiOx-based selector;

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            28. Training Deep Convolutional Neural Networks with Resistive Cross-Point Devices. oa

            【外文期刊】 Tayfun,Gokmen ; Murat,Onen ; 等 《Frontiers in neuroscience》 2017年11卷 538页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 convolutional neural networks (CNN); deep learning; deep neural network;

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            29. Improvement of Resistive Switching Performance in Sulfur-Doped HfOx-Based RRAM. oa

            【外文期刊】 Zhenzhong,Zhang ; Fang,Wang ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2021年14卷12期 SCIMEDLINE

            【关键词】 HfOx-based RRAM; RS performances improvement; sulfur-doping;

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            30. A flexible and fast digital twin for RRAM systems applied for training resilient neural networks.

            【外文期刊】 Markus,Fritscher ; Simranjeet,Singh ; 等 《Scientific reports》 2024年14卷1期 23695页

            【关键词】 ANN; Digital twin; FAT;

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