更多
通知
  • 医学文献
  • 知识库
  • 评价分析
  • 全部
  • 中外期刊
  • 学位
  • 会议
  • 专利
  • 成果
  • 标准
  • 法规
    高级检索 检索偏好
    • 临床诊疗知识库
    • 中医药知识库
    • 机构
    • 作者
    热搜词：
    换一批
    论文 期刊
    取消
    高级检索

    检索历史 清除

    医学文献 >>
    • 全部
    • 中外期刊
    • 学位
    • 会议
    • 专利
    • 成果
    • 标准
    • 法规
    知识库 >>
    • 临床诊疗知识库
    • 中医药知识库
    评价分析 >>
    • 机构
    • 作者
    高级检索 检索偏好
    热搜词：
    换一批
    • 二次检索
    • 检索历史
    • 二次检索
    • 检索历史
    • 最近
    • 已收藏
    当前检索式： 关键词=(resistive random-access memory)
    在国内外文献保障系统中检索
    当前检索式
    关键词=(resistive random-access memory)
    展开
    • 排序
    • 筛选
    共52条结果
    资源类型收起
    • 52
    中图分类展开
    该项聚类结果为0
    年份展开
    关键词聚类展开
    • 18
    • 14
    • 8
    • 5
    • 3
    上下
    更多...
    关键词聚类
      加载更多选项
        定制检索筛选项
        中文期刊
        刊名
        作者
        作者单位
        收录源
        栏目名称
        语种
        主题词
        外文期刊
        文献类型
        刊名
        作者
        主题词
        收录源
        语种
        学位论文
        授予学位
        授予单位
        会议论文
        主办单位
        专      利
        专利分类
        专利类型
        国家/组织
        法律状态
        申请/专利权人
        发明/设计人
        成      果
        鉴定年份
        学科分类
        地域
        完成单位
        标      准
        强制性标准
        中标分类
        标准类型
        标准状态
        来源数据库
        法      规
        法规分类
        内容分类
        效力级别
        时效性
          加载更多选项
            定制检索筛选项
            当前检索式： 关键词=(resistive random-access memory)
            在国内外文献保障系统中检索
            当前检索式
            关键词=(resistive random-access memory)
            展开
            排序：
            出版时间 相关度 被引次数 下载量
            /2
            清除 | 已选 0/200

            批量导出

            文献计量
            0
            共52条结果
            排序方式
            出版时间 相关度 被引次数 下载量
            清除 | 已选 0/200

            批量导出

            全文情况
            每页显示
            0
            1. Upgrading Electroresistive Memory from Binary to Ternary Through Single-Atom Substitution in the Molecular Design.

            【外文期刊】 Xue-Feng,Cheng ; Er-Bo,Shi ; 等 《Chemistry, an Asian journal》 2017年12卷1期 45-51页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 charge trapping; resistive random-access memory; structure-activity relationships;

            LinkOut
            浏览：43 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            2. Resistive Switching Performance Improvement via Modulating Nanoscale Conductive Filament, Involving the Application of Two-Dimensional Layered Materials.

            【外文期刊】 Yu,Li ; Shibing,Long ; 等 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》 2017年13卷35期 SCIMEDLINECA

            【关键词】 nanoscale conductive filament; performance improvement; resistive random access memory;

            LinkOut
            浏览：44 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            3. TCAD Simulation of Resistive Switching Devices: Impact of ReRAM Configuration on Neuromorphic Computing.

            【外文期刊】 Seonggyeom,Kim ; Jonghwan,Lee ; 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2024年14卷23期

            【关键词】 KMC (kinetic Monte Carlo); ReRAM (resistive random-access memory); TCAD (technology computer-aided design);

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            4. A semiconducting supramolecular Co(II)-metallogel based resistive random access memory (RRAM) design with good endurance capabilities.

            【外文期刊】 Arpita,Roy ; Subhendu,Dhibar ; 等 《Scientific reports》 2024年14卷1期 26848页

            【关键词】 Cross-bar array; Electronic device; In-memory computing;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            5. Resistive random access memory: introduction to device mechanism, materials and application to neuromorphic computing.

            【外文期刊】 Furqan,Zahoor ; Fawnizu Azmadi,Hussin ; 等 《Discover nano》 2023年18卷1期 36页

            【关键词】 2D materials; Emerging memory technologies; High-density memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            6. A Unified Current-Voltage Model for Metal Oxide-Based Resistive Random-Access Memory. oa

            【外文期刊】 Harry,Chung ; Hyungsoon,Shin ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2022年16卷1期 SCIMEDLINE

            【关键词】 HSPICE; memristive device; memristor;

            OA
            浏览：2 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            7. Sign backpropagation: An on-chip learning algorithm for analog RRAM neuromorphic computing systems.

            【外文期刊】 Qingtian,Zhang ; Huaqiang,Wu ; 等 《Neural networks : the official journal of the International Neural Network Society》 2018年108卷 217-223页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 Multilayer perceptron (MLP); Neural network; Neuromorphic computing;

            LinkOut
            浏览：54 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            8. Bipolar Switching Characteristics of Transparent WOX-Based RRAM for Synaptic Application and Neuromorphic Engineering. oa

            【外文期刊】 Jihyung,Kim ; Jongmin,Park ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2022年15卷20期 SCIMEDLINE

            【关键词】 indium tin oxide; neuromorphic engineering; synapse device;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            9. Flexible Polymer Device Based on Parylene-C with Memory and Temperature Sensing Functionalities. oa

            【外文期刊】 Min,Lin ; Qingyu,Chen ; 等 《Polymers》 2017年9卷8期 SCIMEDLINECA

            【关键词】 flexible; resistive random-access memory; temperature sensor;

            OA
            浏览：8 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            10. Highly Reliable 3D Channel Memory and Its Application in a Neuromorphic Sensory System for Hand Gesture Recognition.

            【外文期刊】 Dohyung,Kim ; Cheong Beom,Lee ; 等 《ACS nano》 2023年17卷24期 24826-24840页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 hand gesture; neuromorphic sensory system; resistive random-access memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            11. High-performance resistive random access memory using two-dimensional electron gas electrode and its switching mechanism analysis.

            【外文期刊】 Jiho,Kim ; Ohhyuk,Kwon ; 等 《Nanotechnology》 2023年35卷2期 SCIMEDLINE

            【关键词】 low power; resistive random access memory; switching mechanism;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            12. Weighted Synapses Without Carry Operations for RRAM-Based Neuromorphic Systems. oa

            【外文期刊】 Yan,Liao ; Ning,Deng ; 等 《Frontiers in neuroscience》 2018年12卷 167页 SCIMEDLINEBP

            【关键词】 neural networks; online learning; resistive random-access memory (RRAM);

            OA
            浏览：10 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            13. Li-Doping Effect on Characteristics of ZnO Thin Films Resistive Random Access Memory.

            【外文期刊】 Xiaofeng,Zhao ; Ping,Song ; 等 《Micromachines》 2020年11卷10期

            【关键词】 Li-doping ZnO thin films; magnetron sputtering; resistive random access memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            14. Impact of Top Electrodes (Cu, Ag, and Al) on Resistive Switching behaviour of Cu-rich Cu2 ZnSnS4 (CZTS) Ideal Kesterite.

            【外文期刊】 Ankit,Kumar Yadav ; Chandra,Prakash ; 等 《Chemphyschem : a European journal of chemical physics and physical chemistry》 2023年24卷21期 e202300142页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 Cu2ZnSnS4; Schottky barrier; resistive random-access memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            15. Towards the development of flexible non-volatile memories.

            【外文期刊】 Su-Ting,Han ; Ye,Zhou ; 等 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》 2013年25卷38期 5425-49页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 ferroelectric memory; flash memory; flexible electronics;

            LinkOut
            浏览：172 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            16. Low-Temperature Synthesis of WSe2 by the Selenization Process under Ultrahigh Vacuum for BEOL Compatible Reconfigurable Neurons.

            【外文期刊】 S S Teja,Nibhanupudi ; Anupam,Roy ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2024年16卷17期 22326-22333页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 homeostasis; neuron; resistive random access memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            17. In-Memory-Computing Realization with a Photodiode/Memristor Based Vision Sensor. oa

            【外文期刊】 Nikolaos,Vasileiadis ; Vasileios,Ntinas ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2021年14卷18期 SCIMEDLINE

            【关键词】 IoT; SPICE; crossbar;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            18. Building memory devices from biocomposite electronic materials.

            【外文期刊】 Xuechao,Xing ; Meng,Chen ; 等 《Science and technology of advanced materials》 2020年21卷1期 100-121页

            【关键词】 103 Composites; 201 Electronics / Semiconductor / TCOs; Green electronics;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            19. MoS2 /Polymer Heterostructures Enabling Stable Resistive Switching and Multistate Randomness.

            【外文期刊】 Jianwei,Chai ; Shiwun,Tong ; 等 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》 2020年32卷42期 e2002704页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 2D materials; random number generation; resistive random-access memory;

            LinkOut
            浏览：2 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            20. Highly-packed self-assembled graphene oxide film-integrated resistive random-access memory on a silicon substrate for neuromorphic application.

            【外文期刊】 Hyun-Seok,Choi ; Jihye,Lee ; 等 《Nanotechnology》 2022年33卷43期 SCIMEDLINE

            【关键词】 graphene oxide; neuromorphic system; resistive random-access memory;

            LinkOut
            浏览：4 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            21. Emulation of Pavlovian conditioning and pattern recognition through fully connected neural networks using Holmium oxide (Ho2O3) based synaptic RRAM device.

            【外文期刊】 Prabana,Jetty ; Udaya Mohanan,Kannan ; 等 《Nanotechnology》 2023年35卷7期 SCIMEDLINE

            【关键词】 biological synapse; fully connected neural network; memristor device;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            22. Compliance-Free ZrO2/ZrO2 - x /ZrO2 Resistive Memory with Controllable Interfacial Multistate Switching Behaviour. oa

            【外文期刊】 Ruomeng,Huang ; Xingzhao,Yan ; 等 《Nanoscale research letters》 2017年12卷1期 384页 MEDLINE

            【关键词】 Compliance-free; Interfacial switching; Multistate;

            OA
            浏览：32 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            23. Filament Growth and Resistive Switching in Hafnium Oxide Memristive Devices.

            【外文期刊】 Sven,Dirkmann ; Jan,Kaiser ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2018年10卷17期 14857-14868页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 HfO2; filament; kinetic Monte Carlo;

            LinkOut
            浏览：7 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            24. Unsupervised learning in hexagonal boron nitride memristor-based spiking neural networks.

            【外文期刊】 Sahra,Afshari ; Jing,Xie ; 等 《Nanotechnology》 2023年34卷44期 SCIMEDLINE

            【关键词】 resistive random access memory; spike-timing-dependent-plasticity; spiking neural network;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            25. Supramolecular Framework Constructed by Dendritic Nanopolymer for Stable Flexible Perovskite Resistive Random-Access Memory.

            【外文期刊】 Xueqing,Ma ; Jianjun,Zhou ; 等 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》 2023年19卷11期 e2206852页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 dendritic nanopolymers; perovskite; resistive random-access memory;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            26. Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications. oa

            【外文期刊】 Furqan,Zahoor ; Tun Zainal,Azni Zulkifli ; 等 《Nanoscale research letters》 2020年15卷1期 90页 MEDLINE

            【关键词】 Emerging memory; Multilevel cell (MLC); Non-volatile storage;

            OA
            浏览：90 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            27. Unraveling the Role of Polydopamines in Resistive Switching in Al/Polydopamine/Al Structure for Organic Resistive Random-Access Memory. oa

            【外文期刊】 Jonghyeon,Yun ; Daewon,Kim ; 《Polymers》 2022年14卷15期 SCIMEDLINECA

            【关键词】 organic resistance random-access memory; oxygen vacancy; polydopamine;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            28. Non-Volatile ReRAM Devices Based on Self-Assembled Multilayers of Modified Graphene Oxide 2D Nanosheets.

            【外文期刊】 Adila,Rani ; Dhinesh Babu,Velusamy ; 等 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》 2016年12卷44期 6167-6174页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 2D nanosheet multilayers; graphene oxide; layer-by-layer self-assembly;

            LinkOut
            浏览：61 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            29. Compute-in-Memory for Numerical Computations.

            【外文期刊】 Dongyan,Zhao ; Yubo,Wang ; 等 《Micromachines》 2022年13卷5期

            【关键词】 compute-in-memory (CIM); crossbar; numerical computations;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            30. A HfO₂/SiTe Based Dual-Layer Selector Device with Minor Threshold Voltage Variation.

            【外文期刊】 Bing,Song ; Rongrong,Cao ; 等 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2019年9卷3期

            【关键词】 chalcogenide; dual-layer; memristor;

            LinkOut
            浏览：4 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            31. Synapse-Mimetic Hardware-Implemented Resistive Random-Access Memory for Artificial Neural Network. oa

            【外文期刊】 Hyunho,Seok ; Shihoon,Son ; 等 《Sensors (Basel, Switzerland)》 2023年23卷6期 SCIMEDLINE

            【关键词】 artificial intelligence; bioinspired device; convolutional neural network;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            32. Electrochemically Assembled Cu2O Nanoparticles Using Crystallographically Anisotropic Functional Metal Ions and Highly Expeditious Resistive Switching via Nanoparticle Coarsening.

            【外文期刊】 Dong Su,Kim ; Young Dae,Yun ; 等 《ACS nano》 2019年13卷5期 5987-5998页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 amorphous matrix; cuprous oxide; electrochemistry;

            LinkOut
            浏览：7 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            33. Analysis of Leakage Current of HfO2/TaOx-Based 3-D Vertical Resistive Random Access Memory Array.

            【外文期刊】 Zhisheng,Chen ; Renjun,Song ; 等 《Micromachines》 2021年12卷6期

            【关键词】 3-D integration; leakage current; resistive random access memory (RRAM);

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            34. MAPbBr3 Halide Perovskite-Based Resistive Random-Access Memories Using Electron Transport Layers for Long Endurance Cycles and Retention Time.

            【外文期刊】 Hyojung,Kim ; Joo Sung,Kim ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2024年16卷2期 2457-2466页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 MAPbBr3 halide perovskite; electron transport layer; endurance cycles;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            35. Uniform Self-rectifying Resistive Switching Behavior via Preformed Conducting Paths in a Vertical-type Ta2O5/HfO2-x Structure with a Sub-μm(2) Cell Area.

            【外文期刊】 Jung Ho,Yoon ; Sijung,Yoo ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2016年8卷28期 18215-21页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 electroforming-free; low power consumption; resistive random access memory;

            LinkOut
            浏览：19 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            36. A ReRAM-Based Non-Volatile and Radiation-Hardened Latch Design.

            【外文期刊】 Aibin,Yan ; Shaojie,Wei ; 等 《Micromachines》 2022年13卷11期

            【关键词】 circuit reliability; latch design; non-volatile;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            37. Reset-First and Multibit-Level Resistive-Switching Behavior of Lanthanum Nickel Oxide (LaNiO3-x) Thin Films. oa

            【外文期刊】 Daewoo,Kim ; Jeongwoo,Lee ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2023年16卷14期 SCIMEDLINE

            【关键词】 LaNiO3; depression; potentiation;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            38. Statistical Analysis of Uniform Switching Characteristics of Ta2O5-Based Memristors by Embedding In-Situ Grown 2D-MoS2 Buffer Layers. oa

            【外文期刊】 Soeun,Jin ; Jung-Dae,Kwon ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2021年14卷21期 SCIMEDLINE

            【关键词】 AP-PECVD; conductive bridge random-access memory (CBRAM); memristor;

            OA
            浏览：2 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            39. Reset First Resistive Switching in Ni1-xO Thin Films as Charge Transfer Insulator Deposited by Reactive RF Magnetron Sputtering.

            【外文期刊】 Dae-Woo,Kim ; Tae-Ho,Kim ; 等 《Nanomaterials (Basel, Switzerland)》 2022年12卷13期

            【关键词】 area dependence; conductivity; nickel oxide;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            40. Medium-Temperature-Oxidized GeOx Resistive-Switching Random-Access Memory and Its Applicability in Processing-in-Memory Computing. oa

            【外文期刊】 Kannan,Udaya Mohanan ; Seongjae,Cho ; 等 《Nanoscale research letters》 2022年17卷1期 63页 MEDLINE

            【关键词】 Germanium oxide; Low-power hardware neural network; Medium-temperature oxidation;

            OA
            浏览：2 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            41. Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices.

            【外文期刊】 Il-Kwon,Oh ; Asir Intisar,Khan ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2023年15卷36期 43087-43093页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 area-selective atomic layer deposition; data storage device; dielectrics;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            42. Mussel-Inspired Polydopamine Coating for Flexible Ternary Resistive Memory.

            【外文期刊】 Yong-Yan,Zhao ; Xue-Feng,Cheng ; 等 《Chemistry, an Asian journal》 2018年13卷13期 1744-1750页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 flexible electronics; mussel-inspired; polydopamine;

            LinkOut
            浏览：11 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            43. Ultralow-Power RRAM with a High Switching Ratio Based on the Large van der Waals Interstice Radius of TMDs.

            【外文期刊】 Jiaying,Jian ; Pengfan,Dong ; 等 《ACS nano》 2022年16卷12期 20445-20456页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 high switching ratio; resistive random access memory; transitional-metal dichalcogenides;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            44. Water-Soluble Polythiophene-Conjugated Polyelectrolyte-Based Memristors for Transient Electronics.

            【外文期刊】 Kexin,Wang ; Jiaxuan,Liu ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2022年14卷32期 36987-36997页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 conjugated polyelectrolytes; memristor; polythiophene;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            45. A Bioinspired Stretchable Sensory-Neuromorphic System.

            【外文期刊】 Sun Hong,Kim ; Geun Woo,Baek ; 等 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》 2021年33卷44期 e2104690页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 capacitive sensor; golden tortoise beetle; neuromorphic device;

            LinkOut
            浏览：2 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            46. Structural and Electrical Response of Emerging Memories Exposed to Heavy Ion Radiation. oa

            【外文期刊】 Tobias,Vogel ; Alexander,Zintler ; 等 《ACS nano》 2022年16卷9期 14463-14478页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 4D-scanning transmission electron microscopy; automated crystal orientation mapping; ferroelectric random-access memory;

            OA
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            47. Imaging the Three-Dimensional Conductive Channel in Filamentary-Based Oxide Resistive Switching Memory.

            【外文期刊】 Umberto,Celano ; Ludovic,Goux ; 等 《Nano letters》 2015年15卷12期 7970-5页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 C-AFM tomography; Conductive filament; resistive random access memory (RRAM);

            LinkOut
            浏览：54 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            48. Storage of electrical information in metal-organic-framework memristors.

            【外文期刊】 Seok Min,Yoon ; Scott C,Warren ; 等 《Angewandte Chemie (International ed. in English)》 2014年53卷17期 4437-41页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 memristors; metal-organic frameworks; negative differential resistance;

            LinkOut
            浏览：114 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            49. Extremely Low Program Current Memory Based on Self-Assembled All-Inorganic Perovskite Single Crystals.

            【外文期刊】 Jia,Liu ; Jiyou,Jin ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2020年12卷28期 31776-31782页 SCIMEDLINECA

            【关键词】 Kelvin probe force microscopy; conductive atomic force microscopy; low power;

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            50. Effect of Annealing Temperature for Ni/AlOx/Pt RRAM Devices Fabricated with Solution-Based Dielectric.

            【外文期刊】 Zongjie,Shen ; Yanfei,Qi ; 等 《Micromachines》 2019年10卷7期

            【关键词】 annealing temperatures; bipolar resistive switching characteristics; resistive random access memory (RRAM);

            LinkOut
            浏览：0 被引：0 下载：0
            • 新浪微博
            • 微信
            • QQ空间
            • 豆瓣
            • / 2
            收起侧边栏
            显示侧边栏

            加载中...

            内容来自临床诊疗知识库

            内容来自中医药知识库

            更多> - 相关医事流 -
            • 加载中...
            - 相关学者 -
            • 加载中...
            - 相关机构 -
            • 加载中...

            特别提示：本网站仅提供医学学术资源服务，不销售任何药品和器械，有关药品和器械的销售信息，请查阅其他网站。

            • 客服热线：4000-115-888 转3 (周一至周五：8:00至17:00)

            • |

            • 客服邮箱：yiyao@wanfangdata.com.cn

            • 违法和不良信息举报电话：4000-115-888，举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn，举报专区

            官方微信
            万方医学小程序
            new翻译 充值 订阅 收藏 移动端

            官方微信

            万方医学小程序

            使用
            帮助
            Alternate Text
            调查问卷