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【成果】 0701420668 湖北 TG731 TB43 应用技术 石墨及其他非金属矿物制品制造 2006年
【成果简介】 金刚石膜属于无机非金属材料，它具有优异的力学、电学、光学、声学和热学性能，在自然界还很难找到这样集如此多优异性能于一身的材料，有专家曾预测，金刚石膜将取代“20世纪的硅文明世纪”成为“21世纪的金刚石文明世纪”。它的人工合成是当今新材料领域...
【关键词】 金刚石膜 ； 无机非金属材料 ； 微波等离子体化学气相沉积 ；
- 概要：
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【成果】 0200551089 河北 TG711 TG174.44 重大科技成果 石墨及其他非金属矿物制品制造 2001年
【成果简介】 该研究率先采用氮离子束直接溅射石墨靶的方法制备出含有多种C<,3>N<,4>相的CN薄膜，并于硬质合金刀表面沉积了硬度达35GPa的CNx/TiNy多层硬质涂层。应用TEM、SAED、XRD、XPS、EDX等多种现代分析手段对CNx/TiN...
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- 方法：
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【成果】 831254 上海 TN305.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＰＣＶＤ工艺及设备用于大规模集成电路和其它半导体器件的制造工业中。它的特点是淀积温度低（＜４００℃），可对已制成的器件的管芯表面进行钝化，以提高集成电路的可靠性。其主要技术指标为：片间不均匀性±１～３％；卡内不均匀性±３～４％；氮化硅折射率...
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【成果】 790835 上海 TN305 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 复旦大学等几个单位协作对低压化学蒸汽淀积工艺技术、设备及原料气－氨的提纯开展了研究。他们采用了ＳｉＨＣｌ3 （ＳｉＣｌ4 ）／ＳｉＨ4 －ＮＨ3 新体系来进行ＬＰＣＶＤ氮化硅淀积工作。他们研制的氮化硅薄膜片的内均匀性±１％、片间均匀性±２％...
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【成果】 99041430 陕西 TN304.01 TN304.055 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该课题采用ＳｉＨ〈，４〉－Ｎ〈，２〉系ＰＥＣＶＤ新技术，系统地对ＳｉＮ薄膜进行了研究，研究内容包括：Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉薄膜的生长条件及其优化，导电机理，界面性质，界面应力，膜中含氢量与膜质量关系以及膜的导电机理等方面具有其独到之处。用该...
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【成果】 1500531226 浙江 TM914.4 应用技术 输配电及控制设备制造 2014年
【成果简介】 解决了PECVD通笑气及硅烷生成SiO<,2>钝化及刻蚀后通臭氧生成SiO<,2>钝化工艺需进行设备改造，表面易导致色差的问题PECVD通笑气及硅烷生成SiO<,2>钝化工艺需在PECVD炉管进气端增加笑气（N<,2>O）进气管路，由于生成...
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【成果】 801127 上海 TN451 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 制备优质、薄层、均匀的氮化硅介质薄膜是研究大规模集成电路的一项重要技术。该校根据反应溅射原理，以高纯硅为溅射靶，以高纯氮和氧为反应溅射气体，采用射频溅射装置，在低温下在硅片或其它基片上成功地淀积了均匀致密的氮化硅或氮氧化硅薄膜。这项技术的最...
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