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            1. Angle- and position-insensitive electrically tunable absorption in graphene by epsilon-near-zero effect.

            【外文期刊】 Sangjun,Lee ; Thang Q,Tran ; 等 《Optics express》 2015年23卷26期 33350-8页 SCIMEDLINE

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            2. Polariton Bose-Einstein condensate at room temperature in an Al(Ga)N nanowire-dielectric microcavity with a spatial potential trap. oa

            【外文期刊】 Ayan,Das ; Pallab,Bhattacharya ; 等 《Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America》 2013年110卷8期 2735-40页 SCIMEDLINECABP

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            3. Distinct mechanisms for the upconversion of NaYF4:Yb3+,Er3+ nanoparticles revealed by stimulated emission depletion.

            【外文期刊】 Kyujin,Shin ; Taeyoung,Jung ; 等 《Physical chemistry chemical physics : PCCP》 2017年19卷15期 9739-9744页 SCIMEDLINECA

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            4. Electroluminescence from silicon-based photonic crystal microcavities with PbSe quantum dots.

            【外文期刊】 Junseok,Heo ; Ting,Zhu ; 等 《Optics letters》 2010年35卷4期 547-9页 SCIMEDLINE

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            5. Room temperature strong coupling effects from single ZnO nanowire microcavity.

            【外文期刊】 Ayan,Das ; Junseok,Heo ; 等 《Optics express》 2012年20卷11期 11830-7页 SCIMEDLINE

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            6. Room-temperature polariton lasing from GaN nanowire array clad by dielectric microcavity.

            【外文期刊】 Junseok,Heo ; Shafat,Jahangir ; 等 《Nano letters》 2013年13卷6期 2376-80页 SCIMEDLINECA

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            7. Room temperature ultralow threshold GaN nanowire polariton laser.

            【外文期刊】 Ayan,Das ; Junseok,Heo ; 等 《Physical review letters》 2011年107卷6期 066405页 SCIMEDLINECA

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            8. Solid state electrically injected exciton-polariton laser.

            【外文期刊】 Pallab,Bhattacharya ; Bo,Xiao ; 等 《Physical review letters》 2013年110卷20期 206403页 SCIMEDLINECA

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            9. Strain-durable dark current in near-infrared organic photodetectors for skin-conformal photoplethysmographic sensors.

            【外文期刊】 Hyeong Ju,Eun ; Hanbee,Lee ; 等 《iScience》 2022年25卷5期 104194页

            【关键词】 Applied sciences; Sensor; Wearable computing;

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            10. Low Subthreshold Slope AlGaN/GaN MOS-HEMT with Spike-Annealed HfO2 Gate Dielectric.

            【外文期刊】 Min Jae,Yeom ; Jeong Yong,Yang ; 等 《Micromachines》 2021年12卷12期

            【关键词】 ALD HfO2; MOS-HEMT; Spike annealing;

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