换一批- 最近
- 已收藏
- 排序
- 筛选
- 29
- 1
- 12
- 11
- 11
- 9
- 7
- 中文期刊
- 刊名
- 作者
- 作者单位
- 收录源
- 栏目名称
- 语种
- 主题词
- 外文期刊
- 文献类型
- 刊名
- 作者
- 主题词
- 收录源
- 语种
- 学位论文
- 授予学位
- 授予单位
- 会议论文
- 主办单位
- 专 利
- 专利分类
- 专利类型
- 国家/组织
- 法律状态
- 申请/专利权人
- 发明/设计人
- 成 果
- 鉴定年份
- 学科分类
- 地域
- 完成单位
- 标 准
- 强制性标准
- 中标分类
- 标准类型
- 标准状态
- 来源数据库
- 法 规
- 法规分类
- 内容分类
- 效力级别
- 时效性
【中文期刊】 辜海北 《新材料新装饰》 2014年1期 482-483页
【摘要】 心电图机就是用来描记心肌细胞活动时所产生的生理电信号的仪器，是一个高灵敏度、高输入阻抗的放大装置，容易受到机外各种电磁信号的干扰，因此，为了把干扰信号抑制掉，心电图机要求电路具备低噪声、高共模抑制比、良好的传输特性和足够的频响范围等特点，而...
- 概要：
- 方法：
- 结论：
【成果】 99041266 河北 TN325 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＣＸ４１１型和ＣＸ４２１型都是Ｐ型硅衬底Ｎ型外延的结型场效应晶体管，是一种多数载流子电压控制源器件，具有栅结反向漏汇电流小，噪声低的优点，使用时栅极加负压，输入阻抗高，使用方便。两种晶体管的结构选择采用梳状结构和覆盖式结构，宽长比增大，栅长...
【成果】 87208677 北京 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１０２型高频大动态低噪声管系根据微波９６０路，１８００路中频前置放大器的要求而专门研制生产的，也适用于其他电子设备中作高频或中频的低噪声放大用，尤其是适用于大信号下作低噪声放大。该器件具有动态范围大，线性好，大电流下噪声低，谐波衰耗...
【成果】 89219841 辽宁 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１３０（Ｇ４６）是三极ＭＩＮＩ型塑封高频低噪声晶体管，其高频特征的主要技术关键是浅结扩散，二次蒸铝压点新工艺，φ５０硅片细线条光刻。该产品性能稳定，质量可靠。主要用于电子调谐器上作混频用，可代替日本产的２ＳＣ３１３０，２ＳＣ２７３５...
【成果】 99041263 河北 TN323 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＤＺ３０２型器件是一种硅大跨导Ｎ沟结型场效应晶体管，等效噪声电压小于２ｎＶ／Ｈｚ〈’１／２〉。它具有输入阻抗高，抗辐射能力强，动态范围大，交扰调制小，温度稳定性好等优点，可用于视频放大，带通放大，斩波器，电子开关等电路中。该产品采用大的有源...
【成果】 800102 北京 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＤＧ３１０２型高频大动态低噪声管系根据微波９６０路，１８００路中频前置放大器的要求而专门研制生产的，也适用于其他电子设备中作高频或中频的低噪声放大用，尤其是适用于大信号下作低噪声放大。该器件具有动态范围大，线性好，大电流下噪声低，谐波衰耗...
【成果】 882030 江苏 TN325.3 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该器件采用了ｎ －ｎ－ｎˉ－Ｉ ＧａＡｓ多层气相外延材料，以铝作肖特基势垒栅，以ＡｕＧｅ－Ｎｉ／Ａｕ作源和漏的欧姆接触制成深沟槽双台面结构，可用于Ｋｕ波段雷达、卫星接收、电子对抗等微波整机，具有噪声低、增益高、使用频率高，并能在低温...
【成果】 87210989 北京 TN323.2 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ３ＺＢ１１型硅ＮＰＮ高频低噪声小功率三极管主要用于载波高１２路和１８００路，与３ＺＢ０１，３０Ａ３０８管配套使用，作前置级高频低噪声放大，也可在其电子设备中作高频低噪声放大或振荡用。主要技术指标：Ｐ ＞３００ｍｗ，Ｉ ＞３０ｍＡ...
【成果】 99045711 河北 TN322.6 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＣＧ９２１型晶体管采用梳状结构，外延平面工艺；采用双离子注入和快速热退火技术，获得了良好的浅结、薄基区；利用ＲＩＥ技术，得到了半微米以下发射极条宽：器件采用Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ金属化系统，微带金属陶瓷全密封封装。主要技术指标：６００ＭＨｚ下...
【成果】 0400670006 河北 TN325.3 TN61 应用技术 电子器件制造 2002年
【成果简介】 该所生产的砷化镓微波场效应晶体管系列产品包括低噪声器件、功率器件、振荡器件、双相器件等共计60多种。多次荣获国家和电子部科技进步奖，其中低噪声场效应管曾获国家科技进步一等奖。低噪声管指标达到fo＝12GHz，Fn≤1db，GP≥7dB。功率...
加载中...
