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【成果】 1800170015 浙江 TP333 应用技术 电子计算机制造 2018年
【成果简介】 存储器在国计民生和国防安全等领域发挥着重要作用。电致阻变存储器(RRAM)利用电场调控器件电阻状态来实现信息存储，具有密度高、速度快、功耗低以及与CMOS工艺兼容等潜在优点，是下一代信息存储技术的重要候选之一。通过外电场实现电阻状态精准调控...
【成果】 1500210100 北京 TP333.5 应用技术 工程和技术研究与试验发展 电子计算机制造 2015年
【成果简介】 该成果属于半导体存储技术领域。阻变存储器（RRAM)具有高密度、低功耗、高速等优异性能，是重要的下一代新型存储技术。主要发现点有：发现阻变功能层中缺陷的产生和再分布与阻变的关系规律，阐明了缺陷类型对阻变的影响；提出了功能层掺杂和引入杂质插层...
【成果】 2100190004 河北 TP333.3 应用技术 电子计算机制造 2021年
【成果简介】 该项目属于凝聚态物理学科中磁学和薄膜物理学方向。利用电场实现磁性的可逆调控对自旋电子学意义重大。该项目实现了利用阻变过程中施加的电场对金属氧化物阻变存储器磁性的有效调控，获得了具有低操作电压、高磁性开关比、高循环次数和长保持时间的磁性开关效...
【成果】 2400160630 甘肃 TN405 应用技术 工程和技术研究与试验发展 2024年
【成果简介】 ①课题来源与背景:课题来源于国家自然科学基金面上项目。随着半导体制造工艺技术进入22nm工艺节点以下，传统硅基浮栅存储技术将面临一系列技术难题和理论极限，三维集成存储技术被认为是未来实现超大容量数据存储的关键途径。高速、低功耗、非挥发性的阻...
【成果】 2100130085 湖北 TP333 应用技术 电子计算机制造 2021年
【成果简介】 该项目属于“信息产业及现代服务业”领域。 随着半导体集成电路产业的飞速发展，传统的SiO2栅介质材料已经无法满足电路中场效应晶体管不断微缩的需求，广泛采用的硅基浮栅型闪存也在微缩过程中受到了无法有效存储电荷的挑战。 ...
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