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【中文期刊】 刘红艳 孙卫忠 等 《现代仪器》 2008年3期 38-40页
【摘要】 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响.实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布.500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响;真空条件下,在850～930℃...
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【中文期刊】 王良 郑庆瑜 《现代仪器》 2002年2期 21-24页
【摘要】 本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图.并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析.
- 概要：
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【中文期刊】 孙卫忠 王娜 等 《现代仪器》 2009年15卷5期 41-42,50页
【摘要】 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布,中心区域比...
- 概要：
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【中文期刊】 王海云 刘红艳 等 《现代仪器》 2007年13卷4期 60-62页
【摘要】 本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究.在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.X射线形貌...
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【成果】 94201267 天津 TN304.23 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该成果用来制备邮电通讯工业及卫星电视技术中微波传播、光电集成、光纤传播所需要的电子器件的砷化镓（ＧａＡｓ）材料及自动控制工业中的磁霍尔传感器件所需的材料。它根据离子注入掺杂原理可获得性能优异的有源层；比常规的气相外延（ＶＰＥ）和液相外延（Ｌ...
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【成果】 853407 北京 TN304.230.53 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 高纯半绝缘砷化镓单晶主要用于超高速集成电路、光电集成电路、低噪声和功率场效应晶体管及霍尔器件。该项成果采用高压液封原位合成直拉法。在热解氮化硼坩埚里制备的半绝缘砷化镓单晶，不仅纯度高、硅污染少，而且室温电子迁移率高达４，０００－７，０７０ｃ...
- 概要：
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【成果】 0101450604 天津 TN704 TN304.23 应用技术 电子元件制造 石墨及其他非金属矿物制品制造 2000年
【成果简介】 该材料是制作砷化镓微波功率器件和超高速数字电路的关键衬底材料。指标如下：直径：76.2mm；电阻率≥2×10<'7>Ωcm；不均匀性：≤30%；迁移率：≥5000cm<'2/V.S；EL<,2>:(1-3)×10<'16>cm<'-3>；碳...
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【成果】 94215542 北京 TN304 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 半绝缘砷化镓是微波功率场效应晶体管（ＦＥＴ）的衬底材料。在研制成功的ＬＥＣ法生长半绝缘ＧａＡｓ单晶工艺中，采用掺铟和微掺铬结合退火新技术，制成直径Φ５０ｍｍ，电阻率ρ≥５×１０＜＇７＞Ω·ｃｍ，电阻率不均匀性σ＜，ρ＞根号下ρ≤３０％，电子...
- 概要：
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【成果】 87210877 北京 TN304.230.53 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该产品主要用于超高速集成电路和低噪音、大功率场效应管，对发展卫星直播、微波通讯等起重要作用。在热解氮化硼坩埚内，用高压液封原位合成直拉法，制成热稳定的φ５０ｍｍ＜１００＞不掺杂半绝缘ＧｅＡｓ单晶。新工艺的主要关键是防止原料、坩埚的污染，控制...
- 概要：
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【成果】 0101450607 天津 TN304.23 应用技术 石墨及其他非金属矿物制品制造 2000年
【成果简介】 GaAS材料广泛应用于微波数字通讯、移动通讯、光通讯和电子对抗、战术导弹等军民用电子领域。指标为：直径：76.2±0.5mm；等径长度：≥80mm；单锭成晶率：≥50%；晶向：(100)；电阻率>1×10<'7>Ω.cm；电阻率不均匀性：<...
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