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【中文期刊】 刘红艳 孙卫忠 等 《现代仪器》 2008年3期 38-40页
【摘要】 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响.实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布.500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响;真空条件下,在850～930℃...
- 概要：
- 方法：
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【中文期刊】 王良 郑庆瑜 《现代仪器》 2002年2期 21-24页
【摘要】 本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图.并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析.
- 概要：
- 方法：
- 结论：
【中文期刊】 孙卫忠 王娜 等 《现代仪器》 2009年15卷5期 41-42,50页
【摘要】 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布,中心区域比...
- 概要：
- 方法：
- 结论：
【中文期刊】 王海云 刘红艳 等 《现代仪器》 2007年13卷4期 60-62页
【摘要】 本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究.在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.X射线形貌...
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