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【中文期刊】 周春红 《南通大学学报（自然科学版）》 2007年6卷4期 27-30页
【摘要】 基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Mont...
【关键词】 蒙特卡罗模拟；AlGaN/GaN异质结；高电子迁移率晶体管；
- 概要：
- 方法：
- 结论：
【成果】 92217712 河北 TN323.4 TN386 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该器件属场控电子器件，是一种新型大功率电力电子器件。它采用ＣＡＤ优化设计，正方形元胞，Ｐ＜′＋＞场限环与场板，等位环的复合结构，低硼离子注入掺杂，双扩散自对准工艺技术，ＳＩＯ＜，２＞／ＳＩ＜，３＞Ｎ＜，４＞复合介质栅，Ｐｔ－Ｓｉ欧姆接触，背...
【关键词】 晶体管, 硅功率场效应 ；
【成果】 87209263 天津 TN304.120.5 TN386.05 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该高压大功率ＶD ＭＯＳＦＥＴ所用的＜１００＞Ｎ／Ｎ离子硅外延材料缺陷少，处延层厚度均匀，横向载流子浓度的分布均匀（其横向电阻变化率为２％），纵向过渡区陡峭，ＶD ＭＯＳ功率器件击穿特性硬、漏电流小，单结击穿电压平均合格率达６０％以上，其参...
【成果】 831765 北京 TN323.406 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该技术是基于半导体器件失效机理而提出的，即是器件芯片上峰值结温，而不是平均结温更不是壳温决定了器件的寿命。该筛选方法是定器体峰值结温、定偏压、定环境温度的筛选方法。这一方法与全功率或超功率的筛选是等效的。根据该方法才能科学地进行电加速寿命试...
【成果】 99041262 江苏 TN323.4 TN325.3 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＷＣ６７型Ｋｕ波段砷化镓功率场效应管采用Ｃ－４０３管壳封装、在１６～１８ＧＨｚ下，１ｄＢ增益压缩点的输出功率大于１００ｍＶ、增益为４～５ｄＢ（最佳值为１８ＧＨｚ、Ｐ１ｄＢ＝１５０ｍＷ、Ｇ１ｄＢ＝５．４ｄＢ）。采用ＷＣ６７已试制出四级宽带功率...
【成果】 99044604 江苏 TN386 TN323.4 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、Г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０毫主砷化镓片上制做了总栅宽为９．６毫米的功率场效应晶体管芯片。ＣＳ１９８使用一枚芯片，ＣＳ１９９使用二枚芯片并联。在芯片的输入端和输出端分...
【成果】 841107 天津 TN386 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＶＤＭＯＳ功率管具有高压、高速、高线性、大电流自动均衡等优点，在模拟开关和开关电源中使用，工作稳定可靠。该晶体管的主要技术指标如下。漏源电压ＢＶDS分别为２４０Ｖ、１７０Ｖ、１２０Ｖ；漏极电流ＩD(ON) ：１－２Ａ；直流跨导ｇｍ：３００ｍ...
【关键词】 ＶＤＭＯＳ功率晶体管 ； 高压ＶＤＭＯＳ晶体管 ； ＶＤＭＯＳ晶体管 ；
【成果】 98008390 四川 TN32 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 该书是国内外唯一一本详细论述近年来国际上新兴的ＭＯＳ类电力电子器件及其集成电路方面的论著，除采用了该方面全部重要文献外，还包括了许多作者自己的科研成果，该书具有专著性质，该书参考文献达二百多篇。该书包括了ＭＯＳ类器件（含ＩＧＢＴ、ＭＣＴ等）...
【成果】 851272 广东 TG434 应用技术 金属加工机械制造
【成果简介】 采用新型场效应管作为大功率快速开关元件，进行“ＡＣ－ＤＣ－ＡＣ－ＤＣ”变换，研制出最新型的弧焊逆变器，可靠工作范围宽、频率和效率高、体积小、控制功率极小，可直接与微机配用，可用于多种焊接方法。中试投产样机额定工作电流５０Ａ，空载电压５０Ｖ，...
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