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【成果】 930690 天津 TM914.4 应用技术 电池制造

【成果简介】 该成果建立了一套非晶硅（ａ－Ｓｉ）太阳能电池的标准测试方法和设备，包括ＡＭ１．５太阳模拟器、测试盒、恒温室和ａ－Ｓｉ标准太阳能电池。该设备对面积小于１０×１０平方厘米Ｐｉｎ结ａ－Ｓｉ太阳能电池提供Ｉsc、Ｖoc、ＦＦ、Ｐｍ、η等参数的标准数...

【关键词】 太阳模拟； 测量方法； 标定；

【成果】 930691 天津 TM914.41 应用技术 电池制造

【成果简介】 该设备是用辉光放电法制作非晶硅太阳能电池的大型综合设备。它具有多种功能，可沉积各种薄膜材料及器件，广泛应用于大面积光电器件及大尺寸薄膜微电子技术领域。该设备由线列式排列的７个矩形真空室组成，每两室之间的方形法兰采用银丝密封联接及矩形闸板阀隔...

【关键词】 真空室； 半导体工艺； 真空沉积；

【成果】 930692 天津 TM914.4 应用技术 电池制造

【成果简介】 该系统采用计算机控制，对ａ－Ｓｉ太阳能电池的Ｉ－Ｖ特性进行自动测量和数据贮存，并编辑综合分析软件，对测得的Ｉ－Ｖ曲线进行多方面模拟分析，从中获得影响电池性能的多种微观参数。该系统操作简便，数据精确，能实际反映电池材料与界面特性，避免材料测试...

【关键词】 自动分析； 计算机控制； 程序系统；

【成果】 851721 北京 TN304.12 应用技术 电子器件制造

【成果简介】 该项成果采用拉曼光谱、光电子能谱及红外光谱，分析了氯化氢的非晶态硅中氯键的形成及其制备条件的关系，对几种可能硅氯组态及氯沾污问题提出了自己的看法。该项成果属基础研究，在国内外发表了七篇论文，达到了国际水平。

【关键词】 光电子谱法； 红外分光光度法； 喇曼光谱法；

【成果】 912285 甘肃 TN304.801 应用技术 电子器件制造

【成果简介】 通过干涉法、光吸收谱及透射谱等方法，研究了非晶态半导体超晶格等薄膜材料内应力、光隙能、光致发光及ｐｐｃ效应等光电和力学性质、内应力对光电性质的影响，还研究了通过改变沉积条件，即衬底温度、高频电源功率和频率等条件对光电性质、力学性质的影响。通...

【关键词】 应力分析； 应力； 无定形半导体；

【成果】 912284 甘肃 TN304.801 应用技术 电子器件制造

【成果简介】 把ＥＳＲ技术应用于研究ＥＳＲ信号很弱的各种非晶态半导体薄膜材料的微观电子结构分析，解决了测量和制样中的关键技术，首次建立了“ＥＳＲ数据处理”的计算机软件和定量用的“标样”；系统研究了各种非晶半导体薄膜材料的杂质、缺陷、电子态和微观结构特性、...

【关键词】 半导体膜； 结构分析； 电子自旋共振；

【成果】 931075 天津 TM914.41 应用技术 电池制造

【成果简介】 该成果在非晶硅太阳能电池稳定性方面采取了一系列针对性的工艺措施，并以分室连续技术路线研制出１０×１０ｃｍ和２０×２０ｃｍ的单结集成型非晶硅太阳能电池，其转换效率分别达到８．５５％和７．８８％；经２００天室外阳光衰退考验，达到的最小衰降为１８...

【关键词】 生产工艺； 无定形半导体； 硅；

【成果】 930667 天津 TN304.8 应用技术 电子器件制造

【成果简介】 该系统为国内第一台分室连续ＰＣＶＤ系统，能连续于分室中生长出大面积、均匀、优质的掺杂ＳｉＣ合金、μＣ－Ｓｉ、本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ及ＳｉＮ介质薄膜，且交叉污染远小于单室系统，薄膜器件多层结构可以在真空条件下一次完成。它与线列式系统相比，具有造价低...

【关键词】 半导体工艺； 无定形半导体； 硅；

【成果】 882418 广东 O471.4 TN304.807 应用技术 自然科学研究与试验发展 电子器件制造

【成果简介】 该研究发展了一种能同时测定非晶硅（ａ－Ｓｉ∶Ｈ）的带隙态和界面态的新方法——内光发射电流法，在理论上解决了有陷阱态存在的ＭＩＳ结构的内光发射电流动力学问题，推导出计算定域态密度的理论公式，其实验结果与用场效应方法测得的结果相一致。该方法计及...

【关键词】 能带结构； 界面态； 光电子发射；

【成果】 930668 天津 TN249 应用技术 电子器件制造

【成果简介】 该切割机是非晶硅太阳能电池生产中的关键工艺设备，它由激光器、激光电源、工作台、微机控制装置、光学系统等部分组成。激光器为连续ＹＡＧ激光器，采用声光调Ｑ，脉冲宽为３００～５００ｎｓ，平均功率２～４Ｗ，稳定度±５％，调制频率０．５～１５ｋ，配备...

【关键词】 钇铝石榴石激光器； 激光切割； 计算机控制；