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【中文期刊】 李传宇 孔慧 等 《光学精密工程》 2018年26卷2期 371-379页
【摘要】 针对Lamb波压电声波传感器高品质因数(Q值)、低检测极限(LOD)和易集成的性能要求,本文基于SOI(Silicon-on-insulator)硅片,通过底层硅(Handling layer)干法刻蚀和中间层(Boxing layer)自...
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【中文期刊】 石志锋 郑志雯 等 《电镀与涂饰》 2018年37卷13期 570-575页
【摘要】 采用高纯硅靶和氮气,以直流非平衡磁控溅射技术在单晶硅表面制备氮化硅薄膜.借助台阶仪、原子力显微镜、红外光谱和X射线光电子能谱考察了基体偏压(?50～?200 V)对氮化硅薄膜沉积速率、表面形貌及元素化学态的影响.结果表明:所得氮化硅薄膜表面...
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【中文期刊】 马建 刘磊 等 《传感技术学报》 2012年25卷7期 876-879页
【摘要】 随着纳米加工技术的快速发展,纳米孔传感器越来越多的运用于生物大分子检测.本文利用聚焦离子束微纳加工技术在100 nm厚的氮化硅薄膜上制备出50 nm～60 nm孔径的纳米孔,将带有纳米孔的硅基片密封在两个有机玻璃液池内,在液池两侧加入氯化钾...
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【中文期刊】 袁志山 蔺卡宾 等 《东南大学学报（自然科学版）》 2016年46卷5期 977-981页
【摘要】 针对第3代基因测序的需求，提出一种大规模的氮化硅薄膜纳米孔芯片制造技术．通过测量不同膜厚氮化硅薄膜的应力，选择适用于纳米孔制造的最佳厚度为100 nm．采用低压化学气相沉积、反应离子刻蚀和释放工艺制备出高成品率的氮化硅纳米薄膜芯片．在此基础...
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【中文期刊】 张树明 廖华 等 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2011年31卷5期 28-32页
【摘要】 根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数.通过实验,找出适合中电48所工业生产用管式PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数.
【关键词】 PECVD氮化硅减反射膜；工艺参数；优化；
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【成果】 1500520227 江西 TN312.8 应用技术 电子器件制造 2015年
【成果简介】 具有节能环保意义的LED照明产业，是国内外重点发展的战略性新兴产业。国际上现有三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基LED技术路线。其中，前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的，主要贡献者分别获得日美两国最高科...
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【成果】 0800220063 北京 TN304.24 TN304.055 TM914.4 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 2007年
【成果简介】 该公司研制的卧式PECVD设备属于半导体设备制造行业，是专门应用于太阳能电池制造领域中氮化硅薄膜的淀积工艺的设备。 PECVD淀积氮化硅膜时，不光是生长氮化硅膜作为减反射膜，同时也生成了大量的原子氢，这些氢原子不但具有表面钝化作用，同时也...
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【成果】 800565 上海 TN305 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 ＰＥＣＶＤ工艺低温淀积氮化硅样机已研制成功。该设备淀积的膜是含有相当数量氢、氧的Ｓｉ3 Ｎ4 ；淀积速率大于２００埃／分；均匀度在１０％以内；淀积温度为３００℃。鉴定小组已对淀积膜的物理化学性质进行了测定。该设备结构简单，工作稳定，已成功地...
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【成果】 88208654 上海 TP399 TN304.05 应用技术 其他计算机服务 电子器件制造
【成果简介】 用微机控制生长薄膜技术是８０年代最新技术，该工艺是将大规模集成电路所需的氮化硅／多晶硅淀积所需的参数存储在计算机内，然后用计算机控制薄膜生长的全过程。这样可以根据工艺需要，通过计算机调节和控制，以达到最佳工艺效果，该工艺用微机控制ＬＰＣＶＤ...
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