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【成果】 99049068 陕西 TQ174.756 TM28 应用技术 陶瓷制品制造 电线、电缆、光缆及电工器材制造
【成果简介】 在８６３计划支持下，成功开好具有自主知识产权的高介高频介质材料体系：Ｂｉ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＺｎＯ〈，５〉（ＢＺＮ）。该系统具有高性能与低温烧结谦伟的特点，介电常数高（８０－１５０），介质损耗小，介电常温度系数可系列化（＋２００～－７５０ｐ...
【成果】 0501811308 广东 TM534.1 TM505 应用技术 输配电及控制设备制造 电子元件制造 2003年
【成果简介】 传统的圆片瓷介电容器装配工艺以松香酒精作助焊剂，引线焊接后用三氯乙烯(或其它卤代烃CFC)溶剂清洗。按此工艺，引线可靠，外观清洁，产品的电性能指标如损耗(或Q值)、绝缘电阻优良。但是，卤代烃类化学物质危害大气臭氧层及人类健康，随着环保意识的...
【成果】 94203936 河北 TM534.1 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 ＣＣ＜，５２＞Ａ、ＣＳ＜，５２＞Ａ无壳穿心电容器，是为适应彩电国产化需要而自行研制的新产品。该产品采用陶瓷材料为介质，金属银作电极及丝网漏印工艺，尤其是ＣＳ，＜，５２＞Ａ电容器属三类半导体陶瓷制作，具有体积小、容量大、低电感、损耗低、温度特...
【成果】 0501810605 广东 TM534.1 TM241 应用技术 输配电及控制设备制造 2002年
【成果简介】 该公司通过对导电相镍粉、无机添加剂钛酸钡及有机载体研究选择，尤其对浆料收缩率、烧结氧化状况的研究，成功地研制开发出贱金属电容器用镍内电极浆料。其特点为：有效地控制浆 料收缩率，使其在烧结过程与瓷体收缩率一致，电容芯片烧结后无分层、开裂等缺陷...
【成果】 99051382 广东 TM534.1 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 由于整机技术的发展，对电容器的要求也转为小尺寸、大容量和高可靠性。而造成片式电容的积层迅速增加，ｐｄ／Ａｇ内电极占成本比例由４０－５０％增为８０％以上，为取代昂贵的ｐｄ／Ａｇ电极，采用金属Ｎｉ作为电极可大幅度降低成本。该项目主要采用人段气氛...
【成果】 0300340096 广东 TM534.1 应用技术 电子元件制造 2002年
【成果简介】 射频功率多层片式瓷介电容器是移动通信发射系统中所用的一类关键元件。该类片容要求有较低的损耗，较小的等效串联电阻，较高的自谐振频率和优良的频率特性。该研究采用该公司的高性能微波介质瓷料、高金属含量内电极浆料，采用了内电极串联的构造方式、加大的...
【成果】 0300320048 广东 TM534.1 计划项目 电子元件制造 2002年
【成果简介】 该产品是采用三步分段式瓷浆分散新工艺、新型高质量制版技术及小尺寸MLCC的封端技术制作的多层片式瓷介电容器。它使用经过超细磨、粒径分布集中的瓷粉，高精度的流延技术及印刷技术，保证膜片的均匀性与一致性，从而提高产品精度和命中率，保证产品电性能...
【成果】 94203937 河北 TM534.1 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 ＣＣ＜，１１ｂ＞Ｋ型无引线楔形瓷介电容器是为彩电国产化需求而自行研制的新产品。该产品的设计采用在单片高频陶瓷基片上双面被覆银电极，再电镀镍层及铝锡合金层，具有体积小、损耗低、可焊性、耐焊性强等特点。主要技术指标：容量２～３ｐＦ±０．２５ｐＦ...
【关键词】 无引线楔形瓷介电容器 ； 瓷介电容器 ； 陶瓷介质电容器 ；
【成果】 99051384 广东 TM534.1 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 多层瓷介电容器具有高经容、高可靠、频率特性好等优点，是电子信息、主通讯等领域应用十分广泛的电子元器件。随着电子设备向微型、薄层等方向的发展以及性能与低成本本是电子元器件发展和主流，Ｘ７Ｒ型ＭＬＣ是很重要而且较大的一类片注在－５５℃至＋１２５...
【成果】 93204056 江苏 TM534.1 应用技术 输配电及控制设备制造
【成果简介】 该成果介绍了以锶一铋一钛和锶一铋－钛－铬系统为介质材料主晶体的ＣＴ＜，８１＞－２Ｂ＜，４＞型低损耗高压瓷介电容器。该电容器的抗电强度≥７ｋＶ／ｍｍ，损耗角正切值≤０．５％。该电容器还涂覆高性能粉末环氧树脂，可靠性高。该产品与国内同行相比，介...
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