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【中文期刊】 薛晋惠 曾葆青 《四川师范学院学报(自然科学版)》 2003年24卷2期 196-199页
【摘要】 用粒子模拟程序MAGIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer-Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表...
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【成果】 94201925 上海 TN105.1 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 真空微电子器件具有高抗辐射、不易受温度极限损害等特点,在显示、高频高速领域有广泛的应用前景。能稳定地发射的高电流密度冷阴极--电子源则是这种器件成功的关键。该研究结合低能离子注入和常规IC工艺,在硅衬底上形成一个结深为100埃左右的超浅N<...
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【成果】 99021848 江苏 TN610.1 TN385 应用技术 电子元件制造 电子器件制造
【成果简介】 真空微电子器件结合了电子的真空输运和集成电路微细加工的特点,在平板显示和微波器件等领域有广阔的应用前景。该项目对硅场发射理论、场发射阵列制备、场发射阵列在高频下的行为作了广泛研究,取得如下成果:提出硅场发射期间,表面存在量子化。量子化效应使...
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【成果】 99011202 TN40 应用技术 工程和技术研究与试验发展
【成果简介】 该课题对纳米真空微电子器件结构及其制造工艺技术进行了系统研究。特别是把重点集中在该类器件的核心--场致发射尖锥阵列的制造及封闭式真空空腔形成技术的研究上。采用不同阴极尖锥材料,在优化几何结构和工艺技术下研制成功了性能良好的真空微电子器件,并...
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【成果】 88212449 江苏 TB772 应用技术 通用仪器仪表制造
【成果简介】 该规管保持了普通B-A规结构简单的特点,它采用了环形灯丝和短收集极,在不增加电极数目的情况下,把测量下限从普通B-A规的10的负10次方托扩展到10的负12次方托。其灵敏度为20 1/托;测量上限0.0001托(偏离线性±20%);测量下...
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【成果】 0900270075 北京 TN321.5 应用技术 石墨及其他非金属矿物制品制造 2008年
【成果简介】 非晶金刚石薄膜(简称ta-C膜)由于其多方面的优异性能,近年来已引起物理学、信息科学、工程材料学等领域的科学家们的广泛注意并投入力量进行研究。在电子材料和信息科学领域,ta-C膜是一种制造薄膜晶体管的优异材料,具有良好的高温灵敏度;ta-C...
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【成果】 97002583 上海 TN103 应用技术 电子器件制造
【成果简介】 研制成了一批性能较稳定的硅超浅PN结反向击穿型和场发射阵列型冷阴极。这二类冷阴极都内含栅极。栅偏压对电子发射能力有显著的控制作用。用它们作电子源,获得了良好的三极管输出特性和清晰的萤光显示。前一种的发射效率为8×10<’6>,后者的起始发射...
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【成果】 0801140075 河南 TN104.3 TN304.12 应用技术 工程和技术研究与试验发展 电子器件制造 2008年
【成果简介】 硅是最重要的电子材料。而纳米硅,如硅纳米线、硅尖和多孔硅等由于它们独特的量子限域效应使它们在电子、光、机械和化学等方面有潜在的应用价值,因而受到了越来越多人的关注。在这些应用中,由于电子场致发射能在冷阴极、小型微波发生器、单色电子源和真空电...
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【成果】 0701270013 江苏 TN304.055 TN104 TB383 应用技术 专用化学产品制造 2006年
【成果简介】 定向碳纳米管阵列由于在平板显示、真空微电子等器件方面的巨大潜力尤其令人瞩目。尽管定向碳纳米管阵列的中、高温(>700℃)合成已多有报道,更具实用化前景的低温合成却鲜见于文献。通过建立非平衡微波等离子体增强化学气相沉积新方法,课题组已在低温(...
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【成果】 88206973 黑龙江 TG438.2 TN104.1 应用技术 金属加工机械制造 电子器件制造
【成果简介】 该新技术可完成薄件厚度≤0.2mm的钼-钼,钼-其它真空电子材料(Ta、Nb、Tu、W、可代等)的牢固焊接,可以作为以焊代铆,以凸焊代替垫箔钎焊等器件连接工艺。适用范围:真空电子器件,微电子学焊接,已在某些真空电子器件上应用。
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