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【中文期刊】 闫小兵 李玉成 等 《人工晶体学报》 2015年44卷11期 3014-3018页
【摘要】 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量...
- 概要：
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【中文期刊】 张颖 魏慎金 等 《红外与毫米波学报》 2015年34卷6期 658-662页
【摘要】 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试...
【关键词】 钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜；相变特性；热稳定性；
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【成果】 1700240486 广西 TP333 应用技术 电子计算机制造 2017年
【成果简介】 存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发性。此外，半导体材料...
【成果】 1800120499 北京 TP333 应用技术 电子计算机制造 2017年
【成果简介】 面向三维集成的小尺寸阻变存储器微观机理研究。良好的微缩能力是衡量新型存储技术是否具有可持续发展生命力的重要指标，在高密度三维集成中显得尤为关键，因此，有必要开展阻变器件的纳米尺度效应研究，结合第一性原理计算和微观表征，研究极限纳米尺度下阻变...
【成果】 1800170015 浙江 TP333 应用技术 电子计算机制造 2018年
【成果简介】 存储器在国计民生和国防安全等领域发挥着重要作用。电致阻变存储器(RRAM)利用电场调控器件电阻状态来实现信息存储，具有密度高、速度快、功耗低以及与CMOS工艺兼容等潜在优点，是下一代信息存储技术的重要候选之一。通过外电场实现电阻状态精准调控...
【成果】 1500210100 北京 TP333.5 应用技术 工程和技术研究与试验发展 电子计算机制造 2015年
【成果简介】 该成果属于半导体存储技术领域。阻变存储器（RRAM)具有高密度、低功耗、高速等优异性能，是重要的下一代新型存储技术。主要发现点有：发现阻变功能层中缺陷的产生和再分布与阻变的关系规律，阐明了缺陷类型对阻变的影响；提出了功能层掺杂和引入杂质插层...
【成果】 1400230827 北京 TM27 应用技术 工程和技术研究与试验发展 电线、电缆、光缆及电工器材制造 2013年
【成果简介】 项目成果属于新材料，磁学、微电子交叉领域。通过微结构调控实现材料多功能化是当今材料科学进步的重要途径，掌握氧化物的能带裁剪、自旋操纵与极化控制规律，大幅提升材料性能，实现其多功能化具有重大价值。在国家“863”、“973”、国家杰出青年基金...
【成果】 2100190004 河北 TP333.3 应用技术 电子计算机制造 2021年
【成果简介】 该项目属于凝聚态物理学科中磁学和薄膜物理学方向。利用电场实现磁性的可逆调控对自旋电子学意义重大。该项目实现了利用阻变过程中施加的电场对金属氧化物阻变存储器磁性的有效调控，获得了具有低操作电压、高磁性开关比、高循环次数和长保持时间的磁性开关效...
【成果】 2000241579 广西 TP333 应用技术 电子计算机制造 2020年
【成果简介】 电致阻变存储器(RRAM)作为一种最具潜力的新型高速、高密、非挥发性存储器，相比传统的Flash存储器，RRAM作为一种采用非电荷存储机制的存储器在32nm工艺节点以下将有很大的发展空间。但是如何实现高密度的集成是亟待解决的关键问题，特别是...
【成果】 1700320260 北京 TP333.51 应用技术 电子计算机制造 2016年
【成果简介】 高性能数据存储是信息科学的重要基础，氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能，是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调...
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