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【中文期刊】 李国斌 陈常水 等 《发光学报》 2013年34卷7期 911-917页
【摘要】 运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型.分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较...
【中文期刊】 游航英 廖金生 等 《中国稀土学报》 2011年29卷2期 178-184页
【摘要】 采用溶胶-凝胶法合成KGd(WO4)2:Eu3+红色荧光粉.该荧光粉的性质通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、激发谱、发射谱以及荧光衰减曲线来表征.KGd(WO4)2:Eu3+的激发谱主要由中心大约在270nm处的宽谱峰以及一系列由Eu3+...
【中文期刊】 魏菊萍 《现代诊断与治疗》 2023年34卷24期 3790-3792页 CA
【摘要】 目的 探究基于Roy适应模式下护理联合认知心理行为干预对异常子宫出血患者负性情绪有效性分析.方法 回顾性分析治疗的80例异常子宫出血患者资料,根据护理方法不同分为对照组和观察组各40例.对照组行常规护理,观察组行Roy适应模式下护理联合认知...
【外文期刊】 Olga,Casals ; Nicolai,Markiewicz ; 等 《ACS sensors》 2019年4卷4期 822-826页
【关键词】 InGaN; gas sensor; high sensitivity;
【外文期刊】 Xuan,Li ; Jianping,Liu ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2021年14卷8期 SCIMEDLINE
【关键词】 GaN; InGaN; multiple quantum wells;
【外文期刊】 Xiongliang,Wei ; Syed Ahmed,Al Muyeed ; 等 《Materials (Basel, Switzerland)》 2023年16卷5期 SCIMEDLINE
【关键词】 InGaN; anisotropic etching; photoelectrochemical etching;
【外文期刊】 Joachim,Piprek ; 《Materials (Basel, Switzerland)》 2020年13卷22期 SCIMEDLINE
【关键词】 Auger recombination; InGaN/GaN; drift-diffusion;
【外文期刊】 Lucja,Marona ; Przemek,Wisniewski ; 等 《ACS applied materials & interfaces》 2020年12卷46期 52089-52094页 SCIMEDLINECA
【关键词】 GaN; InGaN laser diode; UV laser diode;
【外文期刊】 Daniel,Carvalho ; Francisco M,Morales ; 等 《Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada》 2015年21卷4期 994-1005页 SCIMEDLINECABP
【关键词】 EDX; HAADF-STEM; InGaN;